=================================DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2023．03．007224半导体技术第48卷第3期2023年3月2～18GHzGaAs超宽带低噪声放大器MMIC李士卿，何庆国*，戴剑(中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050051)摘要:基于90nmGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2～18GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构，通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增加接地电容，提高了放大器的高频输出阻抗，进而拓宽了带宽，提高了高频增益，并降低了噪声。在片测试结果表明，在5V单电源电压下，在2～18GHz内该低噪声放大器小信号增益约为26.5dB，增益平坦度小于±1dB，1dB压缩点输出功率大于13.5dBm，噪声系数小于1.5dB，输入、输出回波损耗均小于－10dB，工作电流为100mA，芯片面积为2mm×1mm。该超宽带低噪声放大器可应用于雷达接收机系统中，有利于接收机带宽、噪声系数和体积等的优化。关键词:砷化镓(GaAs);赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT);单片微波集成电路(MMIC);低噪声放大器(LNA);共源共栅;超宽带中图分类号:TN43;TN722.16文献标识码:A文章编号:1003－353X(2023)03－0224－072－18GHzGaAsUltra-WidebandLowNoiseAmplifierMMICLiShiqing，HeQingguo*，DaiJian(The13thResearchInstitute，CETC，Shijiazhuang050051，China)Abstract:A2－18GHzultra-widebandlownoiseamplifier(LNA)monolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)wasdesignedandfabricatedbyusing90nmGaAspseudomorphichighelectronmobilitytransistor(PHEMT)process．ThegainflatnessoftheLNAinultra-widebandwasachievedbytwo-stagecascodetopologyandnegativefeedbackstructure．Acapacitortogroundwasaddedtothegateofcommom-gatetransistor，whichimprovedtheoutputimpedanceathighfrequencyandthenwidenedthebandwidth，improvedthehighfrequencygain，andreducedthenoise．Theon-wafertestresultsshowthatat2－18GHzandasinglepowersupplyof5V，thesmallsignalgainoftheLNAisabout26.5dB，thegainflatnessislessthan±1dB，theoutputpowerat1dBcompressionpointisgreaterthan13.5dBm，thenoisefigureislessthan1.5dB，theinputandtheoutputreturnlossesarebothlessthan－10dB，andtheoperationcurrentis100mA．TheLNAchipsizeis2mm×1mm．Theultra-wide-bandLNAcanbeappl...
