磁性材料及器件第54卷第3期2023年5月•10•曲折结构钴基非晶薄带巨磁阻抗效应及其仿真分析杨真1,2，王振宝1,2，柳梦雨1,2，黄永3，梁晓光4(1.广西师范大学电子与信息工程学院/集成电路学院，广西桂林541000；2.广西师范大学广西高校集成电路与微系统重点实验室，广西桂林541000；3.西安电子科技大学芜湖研究院，安徽芜湖241000；4.广西师范大学物理与科学技术学院，广西桂林541000)摘要：建立了曲折结构钴基非晶薄带近横向各向异性场巨磁阻抗效应的理论计算模型，通过Maxwell方程组以及带阻尼项的Landau-Lifshitz进动方程，对其巨磁阻抗效应(GMI)进行理论分析。着重讨论了曲折结构钴基非晶薄带的长度、宽度、线条间距以及工作频率和外加磁场等参数对GMI性能的影响。结果表明，在考虑非晶薄带微型化尺寸以及理想的GMI性能的情况下，曲折结构钴基非晶薄带的长度、宽度和线条间距之间存在一个比较理想的比例。根据理论计算结果，较为理想的结构参数分别为长度8mm、间距60μm、宽度240μm，在工作频率为20MHz的情况下，GMI比高达175%，理论计算结果为后续开展微型化薄带传感器的研制以及相关生物传感检测研究提供了一定的理论依据。关键词：钴基非晶薄带；曲折结构；巨磁阻抗效应中图分类号：TN304文献标识码：A文章编号：1001-3830(2023)03-0010-07DOI:10.19594/j.cnki.09.19701.2023.03.002著录格式：杨真,王振宝,柳梦雨,等.曲折结构钴基非晶薄带巨磁阻抗效应及其仿真分析[J].磁性材料及器件,2023,54(3):10-16.//YANGZhen,WANGZhen-bao,LIUMeng-yu,etal.GiantmagneticimpedanceeffectandsimulationanalysisofmeandersCo-basedamorphousribbon[J].JournalofMagneticMaterialsandDevices,2023,54(3):10-16.GiantmagneticimpedanceeffectandsimulationanalysisofmeandersCo-basedamorphousribbonYANGZhen1,2,WANGZhen-bao1,2,LIUMeng-yu1,2,HUANGYong3,LIANGXiao-guang41.CollegeofElectronicandInformationEngineering/CollegeofIntegratedCircuits,GuangxiNormalUniversity,Guilin541004,China;2.KeyLaboratoryofIntegratedCircuitsandMicrosystems,GuangxiNormalUniversity,Guilin541004,China;3.Xidian-WuhuResearchInstitute,Wuhu241000,China;4.SchoolofPhysicsScienceandTechnology,GuangxiNormalUniversity,Guilin541004,ChinaAbstract:Atheoreticalcalculationmodelofgiantmagneto-impedanceeffectinthenear-lateralanisotropicfieldofcobalt-b...
