第33卷第2期2023年6月Vol.33No.2Jun.2023湖南工程学院学报（自然科学版）JournalofHunanInstituteofEngineering（NaturalScienceEdition）LaAlO3/SrTiO3异质结光存储特性模拟及电阻图像显示杨毅，段伟杰，洪彦鹏，肖文志（湖南工程学院计算科学与电子学院，湘潭411104）摘要：LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）界面上的二维电子气（2DEG）表现出许多新奇的特性，通过探究其中LAO/STO光电特性的电阻响应机制，发现了异质结与神经网络拥有相似的记忆曲线.通过试验模拟了光照对LAO/STO界面电阻率的影响，并与实际曲线相比较.通过LAO/STO在光照下的电阻率变化，又模拟了LAO/STO对光线形状、光线照射时间的响应，并进行电阻的图像显示.结果表明：LAO/STO异质结具有优异的光储特性，且可以有效进行电阻的图像显示.该项工作为LAO/STO异质结在新型光电子器件、图形图像显示装置以及人工智能器件等领域的应用提供了新的思路.关键词：LaAlO3/SrTiO3；界面效应；光电特性；二维电子气中图分类号：TP211+.5文献标识码：A文章编号：1671-119X（2023）02-0045-05收稿日期：2022-07-14基金项目：湖南省自然科学基金资助项目（2021JJ30179）.作者简介：杨毅（1998-），男，硕士研究生，研究方向：功能电子材料及器件.通信作者：肖文志（1974-），男，博士，教授，研究方向：低维磁性材料.0引言近年来，LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）二维界面受到了广泛关注，从其异质结构上能够观察到铁电、光导、金属-绝缘体相变等一系列性质共存［1-5］.此外，在LAO/STO二维界面上还发现了暂态光电导效应、持续光电导效应以及两者共存的多种光电物理特性［6-10］.这些性质进一步展现了LAO/STO等二维材料在未来材料领域中的潜在价值，其中光电导效应是LAO/STO二维材料研究的一大热点.目前，已有许多文献解释了二维电子气的起源和形成原因.广泛被研究人员所接受的理论有三种：极化灾难理论［11-12］、氧空位理论［13］以及界面离子扩散理论［14］.这三种理论各自解释了产生二维电子气的原因，相互取长补短地解释了界面的传导性以及输运特性的厚度依赖性、临界厚度、门电压的可调节性等现象，为二维电子气中这些新奇特性能够共存给出了合理的解释.但由于没有一个能让所有人共同接受的理论体系，关于二维电子气的起源仍在不断的探索中.该理论的完善对将二维电子气的新奇特性运用到新型功能器件设计上至关重要.本文对于LAO/STO中光电导特性所产生的物理现象进行研究［15］.由于LAO/STO二维电子气具...
