www.ChinaAET.comMicroelectronicTechnology微电子技术基于CMOS阈值电压设计的电压基准源徐晴昊，奚冬杰（中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214035）摘要：基于TSMC0.18µm标准CMOS工艺，提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源。通过采用CMOS阈值电压（Vth）和与温度成正比的电压（VPTAT）作为基础线性温度单元加权求和的方式，消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量，最终得到高精度的电压基准输出。其中CMOS阈值电压由无电阻结构产生，VPTAT的产生和与CMOS阈值电压的加权求和由非对称差分运放完成。实测结果证明，在-55℃~125℃温度范围内，电压基准源输出为1.23V，温度系数为4.5ppm/℃。在无滤波电容的情况下，基准电源抑制比可达-93dB。关键词：电压基准；阈值电压；温度系数；电源抑制比中图分类号：TN433文献标志码：ADOI:10.16157/j.issn.0258-7998.222872中文引用格式：徐晴昊，奚冬杰.基于CMOS阈值电压设计的电压基准源[J].电子技术应用，2023，49(1)：32-35.英文引用格式：XuQinghao，XiDongjie.VoltagereferencebasedonCMOSthresholdvoltage[J].ApplicationofElectronicTech‐nique，2023，49(1)：32-35.VoltagereferencebasedonCMOSthresholdvoltageXuQinghao，XiDongjie(No.58ResearchInstitueofChinaElectronicsTechnologyGroupCorporation，Wuxi214035，China)Abstract：Anovellowtemperaturecoefficientvoltagereferecewithoutresistorsispresentedinthisbrief,whichiscompatiblewithstandardTSMC0.18µmCMOStechnology.Thresholdvoltage(Vth)andproportionaltoabsolutetemperaturevoltage(VPTAT)formthebasiclineartemperaturecomponents.Byweightingthesumofthetwothroughasymmetricdifferentialoperationalam‐plifier,thenonlinearityinthevoltagereferenceiscancledandtheprecisionoftheoutputvoltageisimproved.TheVthisachievedbyresistorlesscircuitandtheVPTATisachievedbyasymmetricdifferentialoperationalamplifier.Theexperimentalresultsshowthatinthetemperaturerangeof-55℃to125℃,thevoltagereferenceis1.23Vwithatemperaturecoefficientof4.5ppm/℃,andthepowersupplyrejectionratioislowerthan-93dBwhilewithoutfilteringcapacitor.Keywords：voltagereference；thresholdvoltage；temperaturecoefficient；PSRR0引言电压基准源作为一个基础单元模块被广泛应用于诸如数据传输、随机存储器和...
