收稿日期：2022-05-31基金项目：国家自然科学基金青年项目（61804126）；中国航空科学基金项目（20200043053005）；产业技术基础公共服务平台项目（2021-0162-1-1）第37卷第6期2022年12月光电技术应用ELECTRO-OPTICTECHNOLOGYAPPLICATIONVol.37，No.6December，2022忆阻器是一种非线性电阻，器件的电阻值能够随输入电流或电压的变化而发生改变，通过电阻值的变化记忆流经的电荷或磁通。作为继电阻、电容和电感之后发现的第四种基本电路元件，忆阻器在神经形态计算和信息存储领域具有广阔的发展前景。制备钙钛矿忆阻器时，作为中间层的钙钛矿薄膜的好坏程度，对于忆阻器能否表现出优良的性能至关重要。钙钛矿制备过程中，首先要配置前驱体·光电器件与材料·钙钛矿忆阻器的开关特性实验研究刘磊1，张烨1，金超琪2，周文端2，齐浩博2，阴玥2*(1.工业和信息化部电子第五研究所，广州；2.西北工业大学微电子学院，西安)摘要：卤化物钙钛矿(ABX3)材料由于其离子迁移和电荷俘获效应，在忆阻器材料中具有很强的应用潜力。Cs0.05(FA0.85MA0.15)0.95PbI2.55Br0.4由于生成能低、铅和碘原子之间结合强度弱，碘离子很容易从钙钛矿晶格中丢失，产生缺陷和不饱和的铅原子。太阳能电池领域研究表明，通过引入碘三离子，可以明显减少钙钛矿薄膜中的缺陷，显著提高薄膜质量。因此通过向钙钛矿前驱体溶液中加入不同量的碘单质，引入碘三离子来探究其对于由Cs0.05(FA0.85MA0.15)0.95PbI2.55Br0.4组成的钙钛矿忆阻器的影响。实验结果表明：通过加入不同量的碘单质，忆阻曲线出现了三种较为明显的变化：I-V曲线中电流呈现逐渐下降的趋势；忆阻器SET与RESET的突变特性发生明显改变；忆阻器开关比变化较大。通过研究引入碘三离子对钙钛矿忆阻器的影响，为调节钙钛矿忆阻器电流与开关比，以适用于不同应用领域，同时为未来钙钛矿忆阻器忆阻性能的提高提供了方向。关键词：忆阻器性能；卤化物钙钛矿；碘三离子；离子浓度中图分类号：TG146.2文献标识码：A文章编号：1673-1255（2022）-06-0073-04StudyofSwitchPerformancesofPerovskiteMemristorLIULei1,ZHANGYe1,JINChaoqi2,ZHOUWenduan2,QIHaobo2,YINYue2*(1.ChinaElectronicProductReliabilityandEnvironmentalTestingResearchInstitute,Guangzhou,China;2.SchoolofMicroelectronics,NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xian,China)Abstract:Halideperovskite(ABX3)materialshavestrongapplicationpotentialinmemristorm...
