第39卷第4期2024年4月Vol.39No.4Apr.2024液晶与显示ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplays高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展李强，葛春桥*，陈露，钟威平，梁齐莹，柳春锡，丁金铎（中山智隆新材料科技有限公司，广东中山528459）摘要：基于金属氧化物半导体（MOS）的薄膜晶体管（TFT）由于较高的场效应迁移率（μFE）、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点，已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究，非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）率先替代非晶硅（a-Si）在TFT中得到推广应用。然而，为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能（如高分辨率、高刷新率等）和更低功耗等多元升级要求，需要迁移率更高的MOSTFTs技术。本文从固体物理学的角度，系统综述了MOSTFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展，并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后，总结展望了MOSTFTs的现状和发展趋势。关键词：金属氧化物半导体；薄膜晶体管；场效应迁移率；偏压稳定性中图分类号：TN321+.5文献标识码：Adoi：10.37188/CJLCD.2024-0032ResearchprogressofhighmobilitymetaloxidesemiconductorthinfilmtransistorsLIQiang，GEChunqiao*，CHENLu，ZHONGWeiping，LIANGQiying，LIUChunxi，DINGJinduo（ZhongshanZhilongNewMaterialTechnologyCo.Ltd.，Zhongshan528459，China）Abstract：Thin-filmtransistor（TFT）basedonmetaloxidesemiconductor（MOS）hasbecomeakeytechnologytoboostthedevelopmentoftheflatpaneldisplayorflexibledisplayindustryduetotheirhighfield-effectmobility（μFE），extremelylowcut-offleakagecurrentandgoodlarge-areaelectricaluniformity.Aftermorethan30yearsofresearch，amorphousindiumgalliumzincoxide（a-IGZO）isthefirsttobepopularizedinTFTbyreplacingtheamorphoussilicon（a-Si）.However，inordertosimultaneouslymeetthemultipleupgraderequirementsofthedisplayindustryforhigherproductivity，betterdisplayperformance（suchashighresolution，highrefreshrate，etc.）andlowerpowerconsumption，MOSTFTstechnologywithhighermobilityisrequired.Fromtheperspectiveofsolid-statephysics，thispaperreviewstheresearchprogressofMOSTFTstoachievehighmobilitycharacteristicsthroughmulti-componentMOSmaterials，anddiscussestherelationshipbetwe...
