材料所有权归bilibiliup主：岸上的芬芳禁止转载和商用！该复习材料适用于考研电子科技大学专业课为832微电子器件的考生，旨在冲刺阶段做查缺补漏和丰富微电子专业相关知识点，材料以问答形式呈现。问题一：关于施主杂质和受主杂质的理解（半导体物理）问题二：Si的电阻率随着温度变化的曲线（半导体物理）问题三：决定器件最高工作温度的是什么（半导体物理）问题四：关于功函数：定义、影响因素（半导体物理）问题五：关于阻挡层、反阻挡层、MIS结构能带（器件）问题六：简并半导体、非简并半导体服从的载流子分布函数？（半导体物理）问题七：关于欧姆接触的定义，以及欧姆接触的制备方法（半导体物理）问题八：关于耗尽区的导电问题（器件）问题九：关于CMOS中的闩锁（Latchup）问题（数字集成电路）问题十：从能带角度理解导体半导体绝缘体的区别（半导体物理）问题十一：关于半导体内部的杂质补偿问题（半导体物理）问题十二：半导体材料禁带宽度的测试方法（半导体物理）问题十三：测量半导体材料掺杂浓度的一般方法（半导体物理）问题十四：关于PN结的光伏特性（半导体物理）问题十五：理想MIS结构的C-V特性曲线及其理解（半导体物理且之前年份有涉及）问题十六：关于半导体材料的划代问题（新考纲补充）问题十七：关于碳化硅材料（新考纲补充）问题十八：IC产业相关总结（新考纲补充）问题十九：FinFET（新考纲补充）材料所有权归bilibiliup主：岸上的芬芳禁止转载和商用！问题一：关于施主杂质和受主杂质的理解（半导体物理）首先明确替位式杂质和间隙式杂质的区别，替位式才是有效掺杂施主杂质、受主杂质举例，电离过程，如何呈现出N、P型问题二：Si的电阻率随着温度变化的曲线（半导体物理）关于散射什么时候以什么为主，有以下记忆方法问题三：决定器件最高工作温度的是什么（半导体物理）禁带宽度（从器件掺杂失效角度考虑），Ge器件大概失效温度在100℃，Si器件大概250℃。最轻掺杂区的本征载流子浓度等于多子浓度时PN结失去了整流特性问题四：关于功函数：定义、影响因素（半导体物理）功函数定义为电子由材料内部逸出到真空所需要的最小能量影响因素可以从掺杂浓度、导电类型、温度、金属种类等方面考虑材料所有权归bilibiliup主：岸上的芬芳禁止转载和商用！问题五：关于阻挡层、反阻挡层、MIS结构能带（器件）关于阻挡层反阻挡层判断最重要的依据是看半导体侧的多子进入金属面临的是势垒还是势阱，若是势垒则为阻挡层，势阱为反...
