电子科大832微电子器件初试笔记分章节知识点精讲第一章半物基础与器件方程1、固体有无定型、单晶、多晶三种基本类型。多晶中单晶区域称为晶粒，是由晶界隔开的。2、元素半导体硅和锗具有金刚石结构，而GaAs是闪锌矿结构。3、晶面通常是由密勒指数进行标定。4、单晶中相邻原子间距只有零点几纳米的数量级。5、晶体的原子密度为1022-1023个/cm3。6、室温常压下，硅的禁带宽度为1.12eV，锗的禁带宽度为0.66eV，砷化镓的禁带宽度为1.43eV，金刚石为6-7eV。且随着掺杂浓度的增加和温度的上升，禁带宽度变小。7、窄带电子的有效质量较大，外力作用下不易运动，迁移率较低。8、服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计率。9、质量作用定律，即200inpn=，对于任何的非简并半导体都成立。10、室温下，硅的1031.510/incm=，锗的1332.410/incm=。11、不同温度下半导体中载流子的来源（1）温度很低时，本征激发忽略，载流子完全由杂质电离产生；（2）强电离区，杂质完全电离，仍然忽略本征激发；（3）过渡区，杂质完全电离，有一部分本征激发；（4）本征激发区，本征激发出的载流子远多于杂质电离出的载流子。12、硅和锗在室温下发生简并时的掺杂浓度在18310/cm以上。13、小注入条件：注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度低得多。14、非平衡载流子的寿命，1/表示单位时间内非平衡载流子的复合概率。15、根据复合放出能量的方式，将复合分为：发光复合、声子复合、俄歇复合。16、促进复合的杂质和缺陷称为复合中心，深能级杂质是有效的复合中心，如金、铂。17、半导体的电阻率可以用四探针法测出，单位是cm。18、电子迁移率是空穴迁移率的2-3倍，原因是：电子在半导体中做“自由”运动，而空穴运动的本质是共价键上电子在共价键之间的运动，所以二者在相同的外电场的作用下的平均漂移速度不同。19、半导体中主要有两种散射机制：晶格散射、电离杂质散射。对于晶格散射，温度下降时在其影响下迁移率将增大，且轻掺杂半导体的主要散射机制为晶格散射；对于电离杂质散射，温度升高后迁移率将增大。20、对于掺杂的硅和锗，主要的散射机构为声学波散射和电离杂质散射。21、硅和锗以间接复合为主。22、根据复合过程，可将复合分为直接复合、间接复合；根据复合位置，分为表面复合、体内复合。23、对扩散电流密度的理解：PPdpJqDdx=−，其中PdpDdx−为扩散流密度，负号代表从高处往低处扩散。电子的扩散电流密度无负号是因为电子带电位q−，...
