研究生入学考试复习大纲“半导体物理与器件物理”(801)一、总体要求“半导体物理与器件物理”（801）由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%（90分）、器件物理占40%（60分）。“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。“器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性；MESFET器件的基本工作原理；MOSFET器件的频率特性；MOSFET器件中的非理想效应；MOSFET器件按比例缩小理论；阈值电压的影响因素；MOSFET的击穿特性；掌握器件特性的基本分析方法。“半导体物理与器件物理”（801）研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。二、各部分复习要点●“半导体物理”部分各章复习要点（一）半导体中的电子状态1.复习内容半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。2.具体要求半导体中的电子状态和能带半导体中电子的运动和有效质量本征半导体的导电机构空穴的概念回旋共振及其实验结果Si、Ge和典型化合物半导体的能带结构（二）半导体中杂志和缺陷能级1.复习内容元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。2.具体要求1Si和Ge晶体中的杂质能级杂质的补偿作用深能级杂质Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质能级等电子杂质与等电子陷阱半导体中的缺陷与位错能级（三）半导体中载流子的统计分布1.复习内容状态密度，Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体2.具体要求状态密度的定义与计算费米能级和载流子的统计分布本征半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度杂质补偿半导体的载流子浓度简并半导体及其载流子浓度、简并化条件、简并半导体的特点与杂质带导电载流子浓度的分析计算方法及其影响载流子浓度的因素（四）半导体的导电性1.复习内容载流子的漂移运动，...
