南京航空航天大学南京航空航天大学电子技术周课程设计实验理论学时）电子技术（5.1180788南京航空航天大学南京航空航天大学数字模拟电子技术tiu南京航空航天大学南京航空航天大学真空管——第一代电子器件晶体管——第二代电子器件小，中规模集成——第三代电子器件大规模集成——第四代电子器件超大规模集成——第五代电子器件南京航空航天大学南京航空航天大学第一章半导体二极管和三极管导电性能：导体，绝缘体，半导体半导体特点：§1-1半导体的基本知识①温度↑，导电能力↑↑——热敏元件②光照，导电能力↑↑——光敏元件③掺入微量杂质，导电能力↑↑——二极管、三极管南京航空航天大学南京航空航天大学一、本征半导体本征半导体：完全纯净的，结构完整的半导体南京航空航天大学南京航空航天大学①共价键结构4自由电子空穴—载流子—②激发（热、光）南京航空航天大学南京航空航天大学③导电方式自由电子导电44444ABC+自由电子和空穴同时参与导电空穴导电南京航空航天大学南京航空航天大学④在本征半导体中，自由电子和空穴成对出现带电粒子示意图呈电中性⑤T↑——载流子数量↑温度对半导体器件性能影响很大南京航空航天大学南京航空航天大学二、杂质半导体1、N型半导体（电子半导体）——在本征半导体中掺入微量杂质元素正离子磷、锑电中性带电粒子示意图掺入微量五价元素，使自由电子浓度大大增加的半导体——N型半导体（电子半导体）载流子：电子>>空穴多子少子南京航空航天大学南京航空航天大学2、P型半导体（空穴半导体）负离子空位空穴硼电中性带电粒子示意图掺入微量三价元素，使空穴浓度大大增加的半导体——P型半导体（空穴半导体）载流子：空穴>>电子多子少子南京航空航天大学南京航空航天大学一、PN结的形成§1-2PN结及其单向导电性结合——多子扩散——内电场——阻止多子扩散，增强少子漂移——动态平衡——PN结（耗尽层、空间电荷区）N型P型N型P型内电场南京航空航天大学南京航空航天大学二、PN结的单向导电性1、外加正向电压——P区接电源正极、N区接电源负极内外NPI正向接法：空间电荷区变窄形成较大的正向电流PN结处于导通状态导通时呈低阻南京航空航天大学南京航空航天大学反向接法：空间电荷区变宽I——反向饱和电流（很小）截止时呈高阻PN结处于截止状态温度增加——反向电流增加②外加反向电压——N区接电源正极、P区接电源负极...
