复件 稳压管和三极管.pptVIP免费

)(mAI)(VUzImaxzIzIzUzU§1-4稳压管差别：1、反向击穿曲线较陡3、稳压管工作在反向击穿区DZmaxIzII使加限流电阻（无法恢复）（可恢复）热击穿不采取限流措施电击穿很大反向2、反向击穿是可逆的主要参数：1、稳定电压UZ4、最大耗散功率PZM=UZIzmaxZZZIUr5、动态电阻2、稳定电流IZ3、最大稳定电流IzmaxmaxIzIIZ)(mAI)(VUzImaxzIzIzUzU①正向接法（同普通二极管）折线化的伏安特性)(mAI)(VUDUZUiURUIZDRUUIUUIUUUUIUUDiDDiiDi，，有电流开路，,,0,②反向接法RUUIUUIUUUUIUUZiZZiiZi，，有电流开路，,,0,折线化的伏安特性)(mAI)(VUDUZUiURUIZD例：已知UZ=5V，UD=0.6V，求U0=？iUR0UIZD①Ui=10V②Ui=-10V③Ui=4V④tuisin10tiutouV6.0V5例：已知UZ=5V，UD=0.6V，求U0=？R0UI1ZD2ZDiU①Ui=10V②Ui=-10V③Ui=4V④tuisin10tiutouV5V5利用稳压管和普通二极管的正向压降，是否可以稳压？折线化的伏安特性)(mAI)(VUDUZU一、基本结构§1-5半导体三极管PNPNPN结构锗硅材料NNPCBECBETNPN型NPPCBECBETPNP型二、电流分配共发射极接法EB：发射结正偏EC：集电结反偏（EC>Ee区：向基区扩散电子b区：电子扩散、复合c区：收集电子CIIBIEBRBECECRTBCERBEBRCECNNPCBEIII直流电流放大系数BCII交流电流放大系数BCII流控器件BCBCIIII一般不加区分BCERBEBRCECNNPCIIBIEBRBECECRT三、特性曲线（以NPN管为例）1、输入特性曲线CEUCIBEUBI常数CEUBEUfBI)()(AIB)(VUBE)(1BEUfBIVCEUCEU时几乎重合影响较小0.3Ve0.6Vi0.1Ve0.5ViGSUGSBE正向导通压降死区电压2、输出特性曲线)(mAIC0BIA20A40A60A80)(VUCE结反偏结正偏，条件：，、放大区：三个区域：ce1BCBCIIII常数BICEUfCI)(CEUCIBEUBI结反偏结反偏，条件：可靠截止：截止ce005.0BEBBEUIVU0000:2ECBCEOCBIIIIII，，（穿透电流，很小））（、截止区)(mAIC0BIA20A40A60A80)(VUCE结正偏结正偏，条件：）（集电极饱和电流—，、饱和区：ce0.1V0.3Vsat3GeSiUUIIIICECECSCBC)(mAIC0BIA20A40A60A80)(VUCE四、主要参数2、极间反向电流ICBO，ICEO（反映管子温度稳定性）1、电流放大系数（反映放大能力），3、极限参数ICM，U...