总复习(模电).pptVIP免费

模拟电路部分1.半导体器件2.基本放大电路3.集成运放4.稳压电路总复习一、半导体器件（1）二极管的特性曲线及其单向导电性。（2）稳压二极管的特性曲线及稳压计算。（3）晶体管的特性曲线，三个工作区域，电流放大倍数。（4）N沟道MOS绝缘栅场效应管的特性曲线，跨导。本部分重点例1：二极管：死区电压=0.5V，正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0RLuiuOuiuott二极管半波整流二极管例2：二极管的应用RRLuiuRuotttuiuRuo二极管检波作用稳压二极管IZmax+-稳压二极管符号UIUZIZ稳压二极管特性曲线IZmin当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和Izmin之间时,其两端电压近似为常数。正向同二极管稳定电流稳定电压RLuiuORDZiiziLUZ例：稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k，输入电压ui=12V，限流电阻R=200。若负载电阻变化范围为1.5k~4k，是否还能稳压？稳压二极管的应用分析：考察IzminIC（’>），UCE0.3V，称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。输出特性三个区域的特点:(1)放大区Je正偏，Jc反偏，IC=IB,且IC=IB(2)饱和区Je正偏，Jc正偏，即UCEUBE，IB>IC，UCE0.3V(3)截止区UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0注：NPN型和PNP型晶体管在三个工作区各电极之间关系的不同。场效应管MOS绝缘栅场效应管（N沟道）结构PNNGSDP型基底两个N区SiO2绝缘层金属铝N导电沟道未预留N沟道增强型预留N沟道耗尽型思考：增强型MOSFET导电沟道靠近哪个极的更宽一些？（1）放大电路的组成和工作原理（T，MOSFET）。（2）放大电路的动静态分析（T，MOSFET）。（3）电子电路中负反馈的概念，反馈类型的判别，各类反馈的特点。（4）多级放大器的概念及分析。（5）（了解）差放、互补功放电路构成、原理及分析。二、放大电路及分析本部分重点三、集成运放及分析1.熟...