常用半导体器件主要内容：§1-1．半导体基础知识§1-2．半导体二极管§1-3．双极型晶体管§1-4．场效应管§1-1．半导体基础知识一、本征半导体纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。大多数半导体器件所用的主要材料是硅（Si）和锗（Ge）。2.结构原子结构§1-1．半导体基础知识晶体结构原子规则排列形成共价键§1-1．半导体基础知识3.本征激发和两种载流子1）本征激发共价键T=0K无载流子束缚价电子部分价电子自由电子光、热作用摆脱共价键{获得足够能量空位—称空穴本征激发：指半导体在加热或光照作用下，产生电子—空穴对的现象。§1-1．半导体基础知识2）载流子电场作用自由电子定向运动形成电子电流电场作用空穴填补空穴的价电子作定向运动形成空穴电流两种载流子：带负电荷的自由电子电场电子电流极性相反电流方向同带正电荷的空穴空穴电流运动方向相反§1-1．半导体基础知识4.本征半导体中载流子的浓度复合：运动中的电子重新被共价键束缚起来，电子空穴对消失。本征激发T一定复合动态平衡ni=pi=K1T3/2e-EGO/(2kT)本征半导体特点：1）导电能力弱2）热不稳定性热敏元件、光敏元件§1-1．半导体基础知识二、杂质半导体在本征半导体中掺入微量的杂质元素，成为杂质半导体。1.N型半导体在本征半导体中掺入少量五价元素原子，称为电子半导体或N型半导体。多数载流子：电子少数载流子：空穴n>>p§1-1．半导体基础知识2.P型半导体在本征半导体中掺入少量三价元素原子，称为空穴半导体或P型半导体。多数载流子：空穴少数载流子：电子p>>n§1-1．半导体基础知识三、PN结将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。1.PN结的形成漂移运动：载流子在电场作用下的定向运动。扩散运动：由于浓度差引起的非平衡载流子的运动。§1-1．半导体基础知识多子扩散形成空间电荷区建立内电场少子漂移方向相反动态平衡Ij=0§1-1．半导体基础知识2.PN结的单向导电性1）PN结外加正向电压时处于导通状态外电场与内电场的方向相反，空间电荷区变窄，内电场被削弱，多子扩散得到加强，少子漂移将被削弱，扩散电流大大超过漂移电流，最后形成较大的正向电流。§1-1．半导体基础知识2）PN结外加反向电压时处于截止状态外电场与内电场方向一致，空间电荷区变宽内电场增强，不利于多子的扩散，有利于少子的漂移。在电路中形成了基于少子漂移的反向电流。由于少子数量很少，因此反向...
