第二节半导体存储器工艺双极型MOS型TTL型ECL型速度很快、功耗大、容量小电路结构PMOSNMOSCMOS功耗小、容量大工作方式静态MOS动态MOS存储信息原理静态存储器SRAM动态存储器DRAM（双极型、静态MOS型）：依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。（动态MOS型）：依靠电容存储电荷的原理存储信息。功耗较大,速度快,作Cache功耗较小,容量大,速度较快,作主存。（静态MOS除外）5.2.1静态MOS存储单元与存储芯片1.六管单元（1）组成T1、T3：MOS反相器Vcc触发器T3T1T4T2T2、T4：MOS反相器T5T6T5、T6：控制门管ZZ：字线，选择存储单元位线，完成读/写操作WWW、W：（2）定义“0”：T1导通，T2截止；“1”：T1截止，T2导通。（3）工作T5、T6Z：加高电平，高、低电平，写1/0。（4）保持只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。VccT3T1T4T2T5T6ZWW导通，选中该单元。写入：在W、W上分别加读出：根据W、W上有无电流，读1/0。Z：加低电平，T5、T6截止，该单元未选中，保持原状态。2.存储芯片例.SRAM芯片2114（1K×4位）（1）外特性静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。地址端：（2）内部寻址逻辑2114（1K×4）191018A6A5A4A3A0A1A2CSGNDVccA7A8A9D0D1D2D3WEA9～A0（入）数据端：D3～D0（入/出）控制端：片选CS=0选中芯片=1未选中芯片写使能WE=0写=1读电源、地寻址空间1K，存储矩阵分为4个位平面，每面1K×1位。X0每面矩阵排成64行×16列。行译码6位行地址X63列译码Y0Y15Xi读/写线路YiWWWW两级译码一级：地址译码，选择字线、位线。二级：一根字线和一组位线交叉，选择一位单元。4位列地址64×1664×1664×1664×161K1K1K1K5.2.2动态MOS存储单元与存储芯片1.四管单元（1）组成T1、T2：记忆管C1、C2：柵极电容T3、T4：控制门管Z：字线位线W、W：（2）定义“0”：T1导通，T2截止“1”：T1截止，T2导通T1T2T3T4ZWWC1C2（C1有电荷，C2无电荷）；（C1无电荷，C2有电荷）。（3）工作Z：加高电平，T3、T4导通，选中该单元。2.单管单元（1）组成（4）保持T1T2T3T4ZWWC1C2写入：在W、W上分别加高、低电平，写1/0。读出：W、W先预充电至再根据W、W上有无电流，高电平，断开充电回路，读1/0。Z：加低电平，T3、T4截止，该单元未选中，保持原状态。需定期向电容补充电荷（动态刷新），∴称动态。四管单元是非破坏性读出，读出过程即实现刷新。C：记忆单元CWZTT：控制门管Z：字线W：位线3.存储芯片（2）定义（4）保持写入...
