2018/8/16王道考研/cskaoyan.com1王道考研——组成原理WWW.CSKAOYAN.COM第三章存储系统本节内容王道考研/CSKAOYAN.COM存储系统半导体存储器王道考研/CSKAOYAN.COM本章总览王道考研/CSKAOYAN.COM半导体存储芯片的基本结构1.存储矩阵：由大量相同的位存储单元阵列构成。2.译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号，该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读/写操作。3.读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作。4.读/写控制线：决定芯片进行读/写操作。5.片选线：确定哪个存储芯片被选中。可用于容量扩充。6.地址线：是单向输入的，其位数与存储字的个数有关。7.数据线：是双向的，其位数与读出或写入的数据位数有关。8.数据线数和地址线数共同反映存储芯片容量的大小。如地址线10根，数据线8根，则芯片容量=210×8=8K位。2018/8/16王道考研/cskaoyan.com2王道考研/CSKAOYAN.COM半导体随机存取存储器StaticRandomAccessMemory类型特点SRAMDRAM存储信息触发器电容破坏性读出非是需要刷新不要需要送行列地址同时送分两次送运行速度快慢集成度低高发热量大小存储成本高低DynamicRandomAccessMemory0、1双稳态充放电都以电信号的形式存储0/1断电就丢失信息：易失性存储器读：”查看”触发器状态写：改变触发器状态读：连接电容，检测电流变化写：给电容充/放电电容上的电荷只能维持2ms读出后需要重新充电能保持两种稳定的状态地址线复用，线数减少一半行地址列地址地址6个逻辑元件构成1个或3个逻辑元件构成常用作Cache常用作主存SDRAM：同步动态随机存储器王道考研/CSKAOYAN.COMDRAM的刷新1.多久需要刷新一次？刷新周期：一般为2ms2.每次刷新多少存储单元？以行为单位，每次刷新一行存储单元——为什么要用行列地址？存储器的简单模型译码器0号存储单元1号存储单元2𝑛-1号存储单元.........𝐴0…𝐴𝑛−12𝑛根选通线拆分为行列地址(DRAM行、列地址等长)行地址译码器𝐴𝑛−1…𝐴𝑛2(0,0)号存储单元(0,1)号存储单元…(0,2𝑛/2-1)(1,0)号存储单元(1,1)号存储单元…(1,2𝑛/2-1)(2𝑛/2-1,0)号存储单元(2𝑛/2-1,1)号存储单元…(2𝑛/2-1,2𝑛/2-1)列地址译码器𝐴𝑛2−1…𝐴0…………存储单元排列成2𝑛/2×2𝑛/2的矩阵王道考研/CSKAOYAN.COMDRAM的刷新1.多久需要刷新一次？刷新周期：一般为2ms2.每次刷新多少存储单元？以行为单位，每次刷新一行存储单元——为什么要用行列地址？存储器的简单模型译码器0号存储单元1...
