收稿日期：２０２２－０６－２９基金项目：国家自然科学基金（面上项目）（６２０７４００７）通信作者：张冠张，副研究员，博士，主要从事超临界流体、神经形态器件与薄膜晶体管的研究。Ｅ⁃ｍａｉｌ：ｋｃｃｈａｎｇ＠ｐｋｕｓｚ.ｅｄｕ.ｃｎ电子元件与材料ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ第４２卷Ｖｏｌ.４２第１期Ｎｏ.１１月Ｊａｎ２０２３年２０２３超临界流体改善ＩＧＺＯ薄膜晶体管光电特性研究董礼１，王明格２，张冠张２（１.中国电子科技集团公司第四十三研究所，安徽合肥２３００８８；２.北京大学深圳研究生院信息工程学院，广东深圳５１８０５５）摘要：随着高速、高分辨率、全透明的显示技术不断发展，对全透明薄膜晶体管（Ｔｈｉｎ－ＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）的电学和光学性能均提出了更高的要求。首先在玻璃衬底上制备了以非晶铟镓锌氧化物（ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＩｎｄｉｕｍ－Ｇａｌｌｉｕｍ－ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ，ａ－ＩＧＺＯ）为有源层、铟锡氧化物（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ，ＩＴＯ）为电极的全透明薄膜晶体管。并以低温环保的超临界流体技术进一步改善器件特性，超临界流体具有高溶解和高渗透性，可进入器件内部，修复材料中的断键，消除器件的缺陷，进而提升器件综合性能。实验结果表明，处理后器件的亚阈值摆幅从４５１.４４ｍＶ／ｄｅｃ下降至２３１.５６ｍＶ／ｄｅｃ，载流子迁移率从８.５７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１增至１０.４６ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，电流开关比提升了一个数量级。此外，超临界处理后器件的光电应力稳定性和光学透明度均得到有效改善。关键词：薄膜晶体管；超临界流体；缺陷；迁移率；光电特性中图分类号：ＴＮ３２１.５文献标识码：ＡＤＯＩ：１０.１４１０６／ｊ.ｃｎｋｉ.１００１－２０２８.２０２３.１３９２引用格式：董礼，王明格，张冠张．超临界流体改善ＩＧＺＯ薄膜晶体管光电特性研究［Ｊ］．电子元件与材料，２０２３，４２（１）：６３－６８.Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｆｏｒｍａｔ：ＤＯＮＧＬｉ，ＷＡＮＧＭｉｎｇｇｅ，ＺＨＡＮＧＧｕａｎｚｈａｎｇ．ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄｏｐｔｉｃａｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆＩＧＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｂｙｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌｆｌｕｉｄｓｔｒｅａｔｍｅｎｔ［Ｊ］．ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓａｎｄＭａｔｅｒｉ...
