CP、FT、WATCP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了；减少成本。CP对整片Wafer的每个Die来测试而FT则对封装好的Chip来测试。CPPass才会去封装。然后FT，确保封装后也Pass。WAT是WaferAcceptanceTest，对专门的测试图形（testkey）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定；CP是waferlevel的chipprobing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（ifneed），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高；FT是packagedchiplevel的FinalTest，主要是对于这个（CPpassed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；PassFP还不够，还需要做processqual和productqualCP测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chiplevel的Repairaddress，通过LaserRepair将CP测试中的Repairabledie修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。CP是对wafer进行测试，检查fab厂制造的工艺水平FT是对package进行测试，检查封装厂制造的工艺水平对于测试项来说，有些测试项在CP时会进行测试，在FT时就不用再次进行测试了，节省了FT测试时间；但是有些测试项必须在FT时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了）。在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancyanalysis，写程序很麻烦。CP在整个制程中算是半成品测试，目的有2个，1个是监控前道工艺良率，另一个是降低后道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子，碰到大电流测试项CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。应该说WAT的测试项和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）测的！而CP的项目是从属于FT的（也就是说CP测的只会比FT少），项目完全一样的；不同的是卡的SPEC而已；因为...
