申请代码：受理部门：收件日期：受理编号：国家自然科学基金申请书资助类别：亚类说明：附注说明：项目名称：申请者：电话：依托单位：通讯地址：邮政编码：单位电话：电子邮件：申报日期：2005年2月12日国家自然科学基金委员会您现在不能检查保护文档或打印文档，请根据以下三个步骤操作：1)如果您是Word2000或以上版本用户，请把Word宏的安全性设为:"中"方法:Word菜单->工具->宏->安全性->安全级,设置为"中"(如果您是Word97用户，继续执行以下步骤)2)关闭本文档，重新打开本文档3)点击"启用宏"按钮，即可开始填写本文档或打印了检查保护国家自然科学基金申请书基本信息申请者信息姓名性别男出生年月1966年3月民族汉族学位博士职称研究员主要研究领域物理学,材料学电话10－82649136电子邮件zxcao@aphy.iphy.ac.cn传真10－82649228个人网页工作单位中国科学院物理研究所/表面物理国家重点实验室在研项目批准号10134030依托单位信息名称代码10008036联系人陈熙基电子邮件xjchen@aphy.iphy.ac.cn电话010-82649363网站地址www.iphy.ac.cn合作单位信息单位名称代码项目基本信息项目名称资助类别亚类说明附注说明申请代码基地类别预计研究年限年月—年月研究属性应用基础研究摘要项目研究内容和意义简介（限400字）：贵金属氮化物是性质特殊的人工缺陷半导体,热稳定性差.但分解温度适中的贵金属氮化物既能满足硬电子学器件的运行温度所要求的稳定性,又允许用激光/电子束微区加热快速转化为良导体,为快速经济大面积地制作超长金属纳米线,硬电子学器件的金属化层和微观导电引线,光存储器件,半导体/金属光子晶体或或其它图形化微纳米结构提供了一个崭新的途径.本课题以第一性原理计算指导反应共溅射合成实验,获取分解温度约在500-600°C温区的Cu3N基贵金属氮化物,表征该材料的结构并研究光学电学性质.研究激光/电子束加热制作上述微结构相关的物理问题和它们表现的新物理现象.特别地,要研究该新材料薄膜在SiC和GaN表面上的低温生长,为其在硬电子学领域的应用做预研究.关键词(用分号分开，最多5个)贵金属氮化物；硬电子学；热稳定性；图形化结构；薄膜第2页版本1.000.000[在此录入修改][在此录入修改][在此录入修改]中国科学院物理研究所曹则贤项目组主要成员(国家杰出青年科学基金不填此栏)编号姓名出生年月性别职称学位单位名称电话电子邮件项目分工每年工作时间（月）11965-5-12女高级实验师学士中国科学院物理研究所10－82649441qinjian@aphy.iphy.ac.cn...
