请参阅最后一页的重要声明证券研究报告·行业深度报告光刻胶系列报告之一：以史为鉴，看半导体材料皇冠上的明珠全谱及紫外光刻胶：开山之作1950s贝尔实验室开发集成电路的过程中与柯达合作开发了全球首款半导体光刻胶----基于环化橡胶-双叠氮体系的KTFR光刻胶。1957-1972年间，其为半导体工业的发展立下了汗马功劳，直至触及2μm的分辨率极限。Hoechst子公司Kalle在1930s开发的一种印刷材料被贝尔实验室改进后用作下一代光刻胶材料，即重氮萘醌-酚醛树脂体系，该体系一直贯穿了g线/i线光刻胶时代，至今仍在应用。化学放大光刻胶：来自化学家的魔法1980s光刻技术发展到深紫外光刻时，光源强度严重制约了光刻机的晶圆处理效率。为解决这一问题，IBM的化学工程师开发了划时代的化学放大光刻胶。然而IBM突破KrF光刻胶时半导体工业尚未发展到需使用KrF光刻的时代，KrF胶成了“早产儿”，直至1995-1997年半导体工艺进展至0.25μm节点时KrF胶才迎来了高速增长时代。ArF光刻胶雏形也源自IBM，但最终也由日本厂商发扬光大。EUV光刻胶：挑战极限，承接化学放大的接力棒经历近40年的发展后，EUV光刻2019年率先在台积电量产。EUV光刻胶主要有分子玻璃和金属氧化物两个方向，从分子结构来看，分子玻璃光刻胶与OLED材料具备诸多的相似之处，而金属氧化物光刻胶主要为稀土和过渡金属有机化合物，与各类金属有机化合物前驱体材料具备一定的相通性。富士胶片、信越化学、住友化学3家日本龙头公司合计申请了EUV光刻胶80%以上的专利。以日为鉴，看光刻胶崛起的天时、地利、人和日本光刻胶行业的崛起，始于KrF光刻胶。IBM虽然早在1980s早期就实现了对KrF胶的突破，但整个80年代半导体工艺都集中在微米级工艺，i线光刻完全可以胜任，IBM的KrF胶成了“早产儿”。1995年东京应化商业化KrF胶时，恰逢0.25-0.35μm工艺节点，逼近i线光刻的极限，且尼康成功击败美国三巨头登顶光刻机行业。天时地利下日本光刻胶行业迅速崛起。然而好景不长，尼康在沉浸式光刻技术路线选择上的错误使日本光刻机产业在经历仅仅10余年的辉煌后跌落神坛，但光刻胶却乘着半导体工业全球化的浪潮成功留在了日本，时至今日日本仍然占据高端市场93%的份额。机遇与挑战并存当前我国高端光刻胶与全球先进水平有近40年的差距，半导体国产化的大趋势下，国内企业有望逐步突破与国内IC制造工艺相匹配的光刻胶，同时提前布局国内晶圆厂的下一代工艺，形成半导体工业正常的技术迭代节奏。风险分析市场竞争风险...
