[GeneralInformation]书名=半导体制造技术作者=页数=600SS号=11210732出版日期=书名版权前言目录目录第1章半导体产业介绍目标1.1引言1.2产业的发展1.3电路集成1.4集成电路制造1.5半导体趋势1.6电子时代1.7在半导体制造业中的职业1.8小结第2章半导体材料特性目标2.1引言2.2原子结构2.3周期表2.4材料分类2.5硅2.6可选择的半导体材料2.7小结第3章器件技术目标3.1引言3.2电路类型3.3元源元件结构3.4有源元件结构3.5CMOS器件的闩锁效应3.6集成电路产品3.7小结第4章硅和硅片制备目标4.1引言4.2半导体级硅4.3晶体结构4.4晶向4.5单晶硅生长4.6硅中的晶体缺陷4.7硅片制备4.8质量测量4.9外延层4.10小结第5章半导体制造中的化学品目标5.1引言5.2物质形态5.3材料的属性5.4工艺用化学品5.5小结第6章硅片制造中的沾污控制目标6.1引言6.2沾污的类型6.3沾污的源与控制6.4硅片湿法清洗6.5小结第7章测量学和缺陷检查目标7.1引言7.2集成电路测量学7.3质量测量7.4分析设备7.5小结第8章工艺腔内的气体控制目标8.1引言8.2真空8.3真空泵8.4工艺腔内的气流8.5残气分析器8.6等离子体8.7工艺腔的沾污8.8小结第9章集成电路制造工艺概况目标9.1引言9.2CMOS工艺流程9.3CMOS制作步骤9.4小结第10章氧化目标10.1引言10.2氧化膜10.3热氧化生长10.4高温炉设备10.5卧式与立式炉10.6氧化工艺10.7质量测量10.8氧化检查及故障排除10.9小结第11章淀积目标11.1引言11.2膜淀积11.3化学气相淀积11.4CVD淀积系统11.5介质及其性能11.6旋涂绝缘介质11.7外延11.8CVD质量测量11.9CVD检查及故障排除11.10小结第12章金属化目标12.1引言12.2金属类型12.3金属淀积系统12.4金属化方案12.5金属化质量测量12.6金属化检查及故障排除12.7小结第13章光刻：气相成底膜到软烘目标13.1引言13.2光刻工艺13.3光刻工艺的8个基本步骤13.4气相成底膜处理13.5旋转涂胶13.6软烘13.7光刻胶质量测量13.8光刻胶检查及故障排除13.9小结第14章光刻：对准和曝光目标14.1引言14.2光学光刻14.3光刻设备14.4混合和匹配14.5对准和曝光质量测量14.6对准和曝光检查及故障排除14.7小结第15章光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术目标15.1引言15.2曝光后烘焙15.3显影15.4坚膜15.5显影检查15.6先进的光刻技术15.7显影质量测量15.8显影检查及故障排除15.9小结第16章刻蚀目标16.1引言16.2刻蚀参数16.3干法刻蚀16.4等离子体刻蚀反应器16.5干法刻蚀的应用16.6湿法腐蚀16.7刻蚀技术的发展历程16.8去除光刻胶16.9刻蚀检查16.10刻蚀质量测量16.11...
