第45卷第4期湘潭大学学报(自然科学版)Vol45No42023年8月JournalofXiangtanUniversity(NaturalScienceEdition)Aug2023DOI:1013715/jissn2096G644X202211200003引用格式:于志强,罗斯玮,钟建新MoS2/Bi2Se3异质结的制备及其光致发光性能研究[J]湘潭大学学报(自然科学版),2023,45(4):1G7Citation:YUZhiqiang,LUOSiwei,ZHONGJianxinPreparationandphotoluminescenceperformanceofMoS2/Bi2Se3heterostructures[J]JournalofXiangtanUniversity(NaturalScienceEdition),2023,45(4):1G7MoS2/Bi2Se3异质结的制备及其光致发光性能研究∗于志强,罗斯玮,钟建新(湘潭大学物理与光电工程学院,微纳能源材料与器件湖南省重点实验室,湖南湘潭411105)摘要:二硫化钼(MoS2)是一种典型的二维材料,因其具备高电子迁移率、可调的带隙和高光吸收度等优异性能被广泛应用于光电子领域二维硒化铋(Bi2Se3)拥有随层数变化的特殊表面态单层MoS2和多层及少层Bi2Se3薄膜构筑成异质结构时,其光致发光性质可能发生显著改变该文利用气相沉积法成功制备了单层MoS2单晶和5层及较厚的Bi2Se3薄膜,并通过转移法成功构筑了基于5层及较厚的Bi2Se3薄膜的MoS2/Bi2Se3垂直异质结在此基础上,结合拉曼、光致发光(PL)测试技术,对两种异质结中的激子发光、界面间相互作用和电荷转移进行了研究,发现基于5层Bi2Se3的MoS2/Bi2Se3异质结具有PL显著增强现象,而基于较厚的Bi2Se3的MoS2/Bi2Se3异质结的PL却明显减弱研究结果表明二维Bi2Se3随层数可变的表面态对MoS2的光学性能具有显著的调制效应关键词:二维材料;MoS2/Bi2Se3;气相沉积;异质结;光致发光中图分类号:O439文献标志码:A文章编号:2096644X(2023)04000107PreparationandphotoluminescenceperformanceofMoS2/Bi2Se3heterostructuresYUZhiqiang,LUOSiwei,ZHONGJianxin(HunanKeyLaboratoryforMicroGNanoEnergyMaterialsandDevices,SchoolofPhysicsandOptoelectronics,Xiangtan411105,China)Abstract:Molybdenumdisulfide(MoS2)isatypicaltwoGdimensionalmaterial,whichhasbeenwidelyusedinthefieldofoptoelectronicsbecauseofitsexcellentpropertiessuchashighelectronmobility,adjustablebandgapandhighlightabsorptionTwoGdimensionalbismuthselenide(B...