1引言带隙基准源作为模拟芯片的核心部分，为整个芯片的其他子模块提供不受外部环境影响的基准电压，其性能对整个电路系统的性能有重要的影响。传统的带隙基准结构只能在较窄电源电压输入范围和狭窄的工作温度范围内才能保持较高的稳定性[1]。为扩展基准的电压输入范围并保证稳定性，设计一种宽电压输入范围且具有高电源抑制比的基准电路。通过利用电流源和稳压二极管，在很大程度上提高基准电路的电源的供电范围，使其在3~40V的范围内正常运作。针对温度-55～180℃及电源电压3~40V的条件，在保证合格温度系数的情况下，以理想的电源电压抑制输出稳定的基准电压。2带隙基准电路原理一般带隙基准电路的基本结构较为简单，由电流复制电路（或误差放大器）、晶体管、分压电阻等组成，如图1所示。带隙基准一般是利用具有正、负温度系数的电压（VBE和ΔVBE）相加，得到一个不随温度变化的零温度系数的基准电压[2]。设计主要利用三极管的VBE的负温度相关系数，涉及到如下三极管宽输入高抑制比带隙基准电路设计*孙宏建1，2，张锦龙1，霍建龙2，朱锦程1，2，赵媛1，2，赵浩生1，2，阮昊1，2（1.河南大学物理与电子学院，开封475001；2.上海聚迹科技有限公司，上海200072）摘要:为满足在高压宽输入电压条件下基准源的使用要求、提高电子产品的供电性能，基于华虹宏力0.18μmBCD工艺设计并实现一种宽输入高抑制比的带隙基准电路。在传统带隙基准电路基础上加以改进，利用电流源、稳压二极管与差分电路共同作用的结构来提高整体电路的稳定性和电源电压范围。利用Virtuoso工具Spectre进行仿真，实验结果表明所设计基准电压源能在较宽的电源电压范围内良好运行，实现了较为理想的精度和稳定性，适用于高压芯片的设计及电子设备中。关键词：带隙基准；电源抑制比；0.18μm工艺DOI：10.3969/j.issn.1002-2279.2023.02.002中图分类号:TN402文献标识码:A文章编号：1002-2279（2023）02-0005-04DesignofBandgapReferenceCircuitwithWideInputandHighRejectionRatioSUNHongjian1,2,ZHANGJinlong1,HUOJianlong2,ZHUJincheng1,2,ZHAOYuan1,2,ZHAOHaosheng1,2,RUANHao1,2(1.SchoolofPhysicsandElectronics,HenanUniversity,Kaifeng475001,China;2.ShanghaiJujiTechnologyCo.,Ltd.,Shanghai200072,China)Abstract:Inordertomeettherequirementsofreferencesourceundertheconditionofhighvoltageandwideinputvoltageandimprovethepowersupplyperformanceofelectronicproducts...
