第43卷第1期2023年3月光电子技术OPTOELECTRONICTECHNOLOGYVol.43No.1Mar.2023金属氧化物TFT工艺中铜/钛蚀刻液浓度控制体系研究赵辉∗(南京京东方显示技术有限公司,南京210033)摘要:深入分析了铜钛刻蚀液的刻蚀机理,并对刻蚀液浓度的变化进行实验分析。在此基础上,通过实验完成了铜钛刻蚀液浓度变化模型曲线的研发,并提出了进行浓度控制的方法,实现了铜钛刻蚀液的稳定应用并极大地提高刻蚀液的使用寿命。研究为相关领域的生产和研发提供了一定的参考。关键词:金属氧化物;湿法刻蚀;铜/钛刻蚀液;浓度控制中图分类号:TN949.12文献标志码:A文章编号:1005⁃488X(2023)01⁃0048⁃05ResearchontheInfluenceandtheMethodControlofCu/TiEtchantConcentrationduringtheProcessofMetalOxideField⁃effectTransistorZHAOHui(NanjingBOEDisplayTechnologyCo.,Ltd.,Nanjing210033,CHN)Abstract:TheetchingmechanismofCu/Tietchantandthechangeofetchantconcentrationwasexperimentallyanalyzed.Onthebasis,thechangingcurveofetchantconcentrationwasclearlycheckedbyexperimentalresults.ThecontrolmethodofCu/Tietchantconcentrationwasalsosuggest⁃ed.Andthen,thelifetimeandstabilityofCu/Tietchantwasobviousimproved,providingsomerefer⁃encefortheresearchandproductionofrelatedfield.Keywords:metallicoxide;wetetch;Cu/Tietchant;concentrationcontrol引言TFT⁃LCD技术发展至今,消费者对画面质量提出了越来越高的要求,同时电视产品在尺寸逐步增大的同时也要求显示器更加绿色环保,因此生产高分辨率、低功耗的TFT⁃LCD显示器已经成为液晶面板厂技术研发的主要方向。铜由于具有远小于铝的电阻率,可以降低布线电阻,有利于提高充电率和像素开口率,同时可解决在大尺寸电视产品上由于传统铝互连工艺高电阻及所造成的电阻/电容时间延迟问题而得到业内各面板企业的青睐。同时相比传统α⁃Si工艺,IGZO金属氧化物作为新一代半导体显示材料具有电子迁移率高,能够对应高频驱动,器件的开关特性优异,特别是关态性能DOI:10.19453/j.cnki.1005⁃488x.2023.01.008收稿日期:2022-12-26作者简介:赵辉(1982—),男,硕士,研究方向为薄膜晶体管液晶显示技术以及工艺制造。(E⁃mail:zhhchhy@126.com.cn)∗通讯作者■■■■■■■■■■■■■■■■研究与试制第1期赵辉:金属氧化物TFT工艺中铜/钛蚀刻液浓度控制体系研究高,节能等优...