ＤＯＩ：１０．１６１３６／ｊ．ｊｏｅｌ．２０２３．０４．０２７２金属／ｐ－ＧａＡｓ界面态对接触电阻作用机理的研究张琛辉１，李冲２＊，王智勇１，李巍泽２，李占杰２，杨帅２（１．北京工业大学材料与制造学部先进半导体光电技术研究所，北京１００１２４；２．北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室，北京１００１２４）摘要：本文针对大功率垂直腔面发射激光器（ｖｅｒｔｉｃａｌｃａｖｉｔｙｓｕｒｆａｃｅｅｍｉｔｔｉｎｇｌａｓｅｒ，ＶＣＳＥＬ）阵列热阻大、出光不均匀的问题，研究ｐ－ＧａＡｓ层欧姆接触电阻值的作用机理，降低欧姆接触串联电阻的方法，以提高ＶＣＳＥＬ阵列出射光功率的均匀性。基于３种常用欧姆接触金属Ｔｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ，研究各层金属厚度和金属组合对与ｐ型欧姆接触电阻的作用规律；结合等离子体表面处理工艺，改变金属／ｐ－ＧａＡｓ界面态，研究界面态对欧姆接触电阻的影响规律。实验对比分析得到金属Ｔｉ／Ａｕ结构电极欧姆接触的比接触电阻率最低，为３．２５×１０－４Ω·ｃｍ２；基于金半接触势垒模型，通过表面等离子体处理，界面势垒可降低１２．６％（０．２６９２ｅＶ降至０．２３５３ｅＶ），等离子体轰击功率可调控金半界面的势垒和态密度。关键词：垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）；欧姆接触；比接触电阻率；等离子体表面处理；势垒中图分类号：ＴＮ２４８．４文献标识码：Ａ文章编号：１００５－００８６（２０２３）０４－０３５８－０６Ｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｍｅｔａｌ／ｐ－ＧａＡｓｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｔａｔｅｏｎｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅＺＨＡＮＧＣｈｅｎｈｕｉ１，ＬＩＣｈｏｎｇ２＊，ＷＡＮＧＺｈｉｙｏｎｇ１，ＬＩＷｅｉｚｅ２，ＬＩＺｈａｎｊｉｅ２，ＹＡＮＧＳｈｕａｉ２（１．ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｄｖａｎｃｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＯｐｔｉｃｓ＆Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＭａｎｕ－ｆａｃｔｕｒｉｎｇ，ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１００１２４，Ｃｈｉｎａ；２．ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＯｐｔｏ－ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏ－ｇｙ，ＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉ...
