XJIPC中国科学院新疆理化技术研究所XINJIANGTECHNICALINSTITUTEOFPHYSICSANDCHEMISTRY,CAS首届全国辐射探测微电子学术年会NME’2017重离子辐照对深亚微米MOS器件(qìjiàn)栅介质可靠性影响的研究1马腾2017年10月13日,北京·高能所中国科学院新疆(xīnjiānɡ)理化技术研究所第一页，共二十页。XJIPC中国科学院新疆理化技术研究所XINJIANGTECHNICALINSTITUTEOFPHYSICSANDCHEMISTRY,CAS首届全国辐射探测微电子学术年会NME’2017汇报提纲研究背景与意义实验(shíyàn)简介实验结果机理分析总结2第二页，共二十页。XJIPC中国科学院新疆理化技术研究所XINJIANGTECHNICALINSTITUTEOFPHYSICSANDCHEMISTRY,CAS首届全国辐射探测微电子学术年会NME’2017随着(suízhe)科学技术的发展，微电子器件在航空航天、军事、能源领域广泛应用研究(yánjiū)背景与意义研究(yánjiū)背景与意义3第三页，共二十页。XJIPC中国科学院新疆理化技术研究所XINJIANGTECHNICALINSTITUTEOFPHYSICSANDCHEMISTRY,CAS首届全国辐射探测微电子学术年会NME’2017芯片(xīnpiàn)工艺发展趋势→高集成度、高可靠性器件(qìjiàn)内部电场随着特征尺寸的变化趋势内部电场增强导致(dǎozhì)各类物理效应凸显有效途径新结构（如LDD）新材料（如H-K）一、研究背景及意义研究背景与意义研究背景与意义4第四页，共二十页。XJIPC中国科学院新疆理化技术研究所XINJIANGTECHNICALINSTITUTEOFPHYSICSANDCHEMISTRY,CAS首届全国辐射探测微电子学术年会NME’2017一、研究(yánjiū)背景及意义研究背景(bèijǐng)与意义研究背景(bèijǐng)与意义深空辐射(fúshè)环境下的器件失效模式与失效率示意图5第五页，共二十页。XJIPC中国科学院新疆理化技术研究所XINJIANGTECHNICALINSTITUTEOFPHYSICSANDCHEMISTRY,CAS首届全国辐射探测微电子学术年会NME’2017特征尺寸的缩小，内部电场增辐照(fúzhào)导致氧化层损伤1.热载流子注入2.栅介质(jièzhì)软击穿3.介质经时击穿4.7MV/cm5MV/cm纳米器件栅介质受栅介质受到到辐射损伤和介质经时击穿效应共同影威胁器件寿威胁器件寿因此，对辐射环境下栅介质的可靠性研究变得尤为重要。研究背景与意义研究背景与意义6第六页，共二十页。XJIPC中国科学院新疆理化技术研究所XINJIANGTECHNICALINSTITUTEOFPHYSICSANDCHEMISTRY,CAS首届全国辐射探测微电子学术年会NME’2017样品描述：0.13umPDSOIMIS电容，面积为45*100um2，四种(sìzhǒnɡ)不同的样品...
