ISSN1006－7167CN31－1707/TＲESEAＲCHANDEXPLOＲATIONINLABOＲATOＲY第41卷第12期Vol．41No．122022年12月Dec．2022DOI:10．19927/j．cnki．syyt．2022．12．005ZnO基MIS结构器件制备工艺与性能实验设计咸冯林，徐林华，郑改革，赵立龙，裴世鑫(南京信息工程大学物理与光电工程学院，南京210044)摘要:基于第3代氧化物半导体材料设计了一种金属-绝缘体-半导体(MIS)结构器件制备与表征的综合性实验。通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在C面蓝宝石衬底上合成了ZnO/ZnMgO多量子阱/ZnO结构，采用磁控溅射法分别在300、400和500℃下沉积厚度为50nm的MgO绝缘层。采用紫外曝光、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀和电子束蒸发工艺制备了MIS结构器件，器件具有良好的整流特性。关键词:多量子阱;金属-绝缘体-半导体结构;光电器件中图分类号:TN364;TN23;O472文献标志码:A文章编号:1006－7167(2022)12－0019－04ExperimentalDesignforSynthesisandCharacterizationofZnOBasedMetal-Insulator-Semiconductor(MIS)StructureDeviceXIANFenglin，XULinhua，ZHENGGaige，ZHAOLilong，PEIShixin(SchoolofPhysicsandOptoelectronicEngineering，NanjingUniversityofInformationScienceandTechnology，Nanjing210044，China)Abstract:AcomprehensiveexperimentforsynthesisandcharacterizationofMISstructuredeviceswasdesignedbasedonthethird-generationoxidesemiconductor．TheZnO/ZnMgOmultipilequantumwell(MQW)/ZnOstructurewasgrownonC-planesapphiresubstratebyMOCVD．50nmthickMgOinsulatorlayersweredepositedbymagnetronsputteringmethodunder300，400and500℃，respectively．TheMISstructuredeviceswerepreparedbycombinedultravioletexposure，ICPetchingandE-beamevaporation．Thedevicesexhibitgoodrectificationbehavior．Keywords:multiplequantumwell;MISstructure;optoelectronicdevice收稿日期:2022-05-11基金项目:国家自然科学基金面上项目(62075097);教育部高等学校大学物理课程教学指导委员会2019年高等学校教学研究项目(DJZW201922hd);江苏省高等教育教改研究课题(2019JSJG549)作者简介:咸冯林(1986－)，男，江苏连云港人，讲师，主要从事宽禁带半导体光电功能材料与器件的研究。Tel．:15951006115;E-mail:xfl@nuist．edu．cn0引言金属-绝缘体-半导体(MIS)结构是一种常见的半导体光电子器件结构形式，当绝缘层采用氧化物时，也称为金属-氧化物-半导...
