第46卷第1期2023年2月电子器件ChineseJournalofElectronDevicesVol.46No.1Feb．2023项目来源:国家自然科学基金(61804069);江苏省大学生创新训练重点项目(202113573066Y);金陵科技学院校级科教融合项目(2020KJＲH43)收稿日期:2021－09－17修改日期:2021－12－14EffectofBiDopingonthePropertiesofCu2ZnSnS4ThinFilmsPreparedbySol-GelMethod*JIShanyin1，2，WANGWei1，2*，PENGZhaoquan1，2，WANGJiawen1，2，BAIHang1，2，SUNLuanhong1，2，HUXuemin1，2(1．SchoolofMaterialsEngineering，JinlingInstituteofTechnology，NanjingJiangsu211169，China;2．NanjingkeyLaboratoryofOptometricMaterialsandTechnology，NanjingJiangsu211169，China)Abstract:Cu2ZnSnS4(CZTS)thinfilmsolarcellshavebeenwidelystudiedduetoitsadvantagessuchasoptimalbandgap，abundantcomponents，andhightheoreticalconversionefficiency．Bi-dopedCZTSthinfilmsarepreparedbyusingsol-gelmethod．TheeffectsofBidopingamountonmicrostructure，phasestructure，andoptoelectronicpropertiesofthinfilmsareinvestigated．Theresultsshowthattheas-preparedthinfilmsareCZTSwithkesteritestructure．ThedopingofBielementhasagreatinfluenceonthemorphologyofthinfilms．Thegrainsizeincreasesatfirstandthendecreases，andthethinfilmsbecomedenserandmoreuniform．TheopticalbandgapoftheCZTSthinfilmsshowsanupwardtrendwiththeincreaseofBidopingcontent．Thephotocurrentresponsefirstincreasesandthende-creases．Whenthedopingconcentrationis1%，thecomprehensiveperformanceofCZTSthinfilmsisthebest．Keywords:Cu2ZnSnS4thinfilms;Sol-gelmethod;Bidoping;optoelectronicpropertiesEEACC:0550;8420doi:10．3969/j．issn．1005－9490．2023．01．042Bi掺杂对溶胶－凝胶法制备Cu2ZnSnS4薄膜性能影响的研究*季善银1，2，王威1，2*，彭兆泉1，2，王佳文1，2，柏航1，2，孙孪鸿1，2，胡学敏1，2(1．金陵科技学院材料工程学院，江苏南京211169;2．南京市视光材料与技术重点实验室，江苏南京211169)摘要:Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳电池因其具有较佳带隙、组成元素丰富、理论转换效率高等优点，而被广泛研究。采用溶胶－凝胶法制备了Bi掺杂的CZTS薄膜，研究了Bi掺杂量对薄膜的微观形貌、物相结构和光电性能的影响。研究结果表明，所制备的薄膜为锌黄锡矿结构的CZTS。B...
