第２９卷第１期功能材料与器件学报Ｖｏｌ.２９，Ｎｏ.１２０２３年２月ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＦＵＮＣＴＩＯＮＡＬＭＡＴＥＲＩＡＬＳＡＮＤＤＥＶＩＣＥＳＦｅｂ．，２０２３文章编号：１００７–４２５２（２０２３）０１–０００１–０４６ＤＯＩ：１０．２００２７／ｊ．ｇｎｃｑ．２０２３．０００１收稿日期：２０２２－０７－２６；修订日期：２０２３－０２－１９作者简介：仇光寅，（１９８６年－），男，江苏南京人，博士，工程师，现从事半导体材料的研发和制备（Ｅ－ｍａｉｌ：ｑｉｕｇｕａｎｇｙｉｎ＠ｇｓ－ｅｐｉ．ｃｏｍ）．２００ｍｍＢＣＤ器件用硅外延片制备技术研究仇光寅∗，刘勇，邓雪华，杨帆，金龙（南京国盛电子有限公司，江苏省南京市２１１１１１）摘要：本文涉及２００ｍｍＢＣＤ（Ｂｉｐｏｌａｒ－ＣＭＯＳ－ＤＭＯＳ）器件用硅外延片制备技术，通过结合ＢＣＤ工艺用外延材料的特性要求，从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标，分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数的影响，优化了ＢＣＤ工艺用硅外延片的制备方法。本文采用常压化学气相沉积（ＣＶＤ）技术制备了ＢＣＤ工艺用２００ｍｍ硅（Ｓｉ）外延材料，通过Ｈｇ－ＣＶ、ＳＰ１及ＳＲＰ对埋层外延片进行测试分析，实验结果验证了工艺设计的正确性和有效性，提升了大尺寸埋层外延制备技术的产业化水平。关键词：埋层外延；高阻薄层；图形漂移；自掺杂；表面缺陷中图分类号：ＴＢ３４文献标识码：ＡＳｔｕｄｙｏｎ２００ｍｍＳｉｌｉｃｏｎＥｐｉｔａｘｙＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒＢＣＤＰｒｏｃｅｓｓＱｉｕＧｕａｎｇｙｉｎ∗，ＬｉｕＹｏｎｇ，ＤｅｎｇＸｕｅｈｕａ，ＹａｎｇＦａｎｇ，ＪｉｎＬｏｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＧｕｏｓｈｅｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＣＯ．，ＬＴＤ．，Ｎａｎｊｉｎｇ，２１１１１１，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｆｏｃｕｓｉｎｇｏｎ２００ｍｍｓｉｌｉｃｏｎｅｐｉｔａｘｙｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒＢＣＤｄｅｖｉｃｅｓ，ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒｓｕｃｈａｓｐａｔｔｅｒｎｓｈｉｆｔ，ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙａｎｄｓｕｒｆａｃｅｄｅｆｅｃｔｓ，ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇｆａｃｔｏｒｓｏｆｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｓｕｃｈａｓｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆｂｕｒｉｅ...
