收稿日期：２０２２－１１－２２基金项目：国家自然科学基金（６２１０６１１１）；无锡学院引进人才科研启动专项经费资助（２０２１ｒ０１１，２０２１ｒ０１２）通信作者：苏琳琳，讲师，博士，主要从事半导体材料与器件研究。Ｅ⁃ｍａｉｌ：ｓｕｌｉｎｌｉｎ＠ｃｗｘｕ.ｅｄｕ.ｃｎ电子元件与材料ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ第４２卷Ｖｏｌ.４２第１期Ｎｏ.１１月Ｊａｎ２０２３年２０２３ｐ型接触界面氧影响ＳｉＣＡＰＤ暗电流的机制研究杨成东，苏琳琳（无锡学院电子信息工程学院，江苏无锡２１４１０５）摘要：ＳｉＣ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）作为一种微弱紫外光探测器件，高探测灵敏度对器件暗电流水平提出极高要求。在ＳｉＣＡＰＤ复杂的制备过程中，器件暗电流是极其敏感的，为了探索工艺中暗电流的影响因素并分析其机制，对四种不同工艺条件下制备的ＳｉＣＡＰＤ进行对照分析，通过电流－电压曲线展现器件的输出特性，并结合扫描电子显微镜（ＳＥＭ）来研究相关界面的表面特性，从而揭示漏电机制。研究表明，器件制备过程中界面氧的引入在高温退火过程中会诱导金属－半导体界面缺陷的形成，从而导致暗电流的急剧增加，这种缺陷的诱导机制还和ｐ型接触金属密切相关。在器件制备过程中，在氧等离子体去胶等可能引入氧氛围的工艺步骤后，对外延片进行氢氟酸腐蚀以去除氧氛围能够有效降低器件的暗电流。关键词：ＳｉＣ；雪崩光电二极管；暗电流；界面氧中图分类号：ＴＮ３１２＋.７文献标识码：ＡＤＯＩ：１０.１４１０６／ｊ.ｃｎｋｉ.１００１－２０２８.２０２３.１７０４引用格式：杨成东，苏琳琳．ｐ型接触界面氧影响ＳｉＣＡＰＤ暗电流的机制研究［Ｊ］．电子元件与材料，２０２３，４２（１）：４５－４９.Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｆｏｒｍａｔ：ＹＡＮＧＣｈｅｎｇｄｏｎｇ，ＳＵＬｉｎｌｉｎ．Ｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｐ－ｔｙｐｅｃｏｎｔａｃｔｉｎｔｅｒｆａｃｅｏｘｙｇｅｎｏｎｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔｏｆＳｉＣＡＰＤ［Ｊ］．ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０２３，４２（１）：４５－４９.Ｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｐ－ｔｙｐｅｃｏｎｔａｃｔｉｎｔｅｒｆａｃｅｏｘｙｇｅｎｏｎｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔｏｆＳｉＣＡＰＤＹＡＮＧＣｈｅｎｇｄｏｎｇ，ＳＵＬｉｎｌｉｎ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉ...
