武汉科技学院硕士研究生入学考试半导体物理学考试大纲本半导体物理学考试大纲适用于武汉科技学院物理电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要根底理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的外表和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体外表及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体局部。要求考生对其根本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中根本定律的应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。一、考试内容〔一〕半导体的电子状态1．半导体的晶格结构和结合性质2．半导体中的电子状态和能带3．半导体中的电子运动有效质量4．本征半导体的导电机构空穴5．盘旋共振6．硅和锗的能带结构7．III－V族化合物半导体的能带结构8．II－VI族化合物半导体的能带结构〔二〕半导体中杂质和缺陷能级1．硅、锗晶体中的杂质能级2．III－V族化合物中杂质能级3．缺陷、位错能级〔三〕半导体中载流子的统计分布1．状态密度2．费米能级和载流子的统计分布3．本征半导体的载流子浓度4．杂质半导体的载流子浓度5．一般情况下的载流子统计分布6．简并半导体〔四〕半导体的导电性1．载流子的漂移运动迁移率2．载流子的散射3．迁移率与杂质浓度和温度的关系4．电阻率及其与杂质浓度和温度的关系5．玻尔兹曼方程电导率的统计理论6．强电场下的效应热载流子7．多能谷散射耿氏效应〔五〕非平衡载流子1．非平衡载流子的注入与复合2．非平衡载流子的寿命3．准费米能级4．复合理论5．陷阱效应6．载流子的扩散运动7．载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式8．连续性方程式〔六〕p-n结1．p-n结及其能带图2．p-n结电流电压特性3．p-n结电容4．p-n结击穿5．p-n结隧道效应〔七〕金属和半导体的接触1．金属半导体接触及其能级图2．金属半导体接触整流理论3．少数载流子的注入和欧姆接触〔八〕半导体外表与MIS结构1．外表态2．外表电场效应3．MIS结构的电容－电压特性4．硅─二氧化硅系数的性质5．外表电导及迁移率6．外表电场对p－n结特性的影响〔九〕异质结1．异质结及其能带图2．异质结的电流输运机构3．异质结在器件中的应用4．半导体超晶格〔十〕半导体的光、热、磁、压阻等物理现象1．半导体的光学常数2．半导体的光吸收3．半导体的光电导4．半导体的光生伏特效应5．...
