模拟电子技术根底,课后习题答案篇一：模拟电子技术根底,课后习题答案模拟电子技术根底第一章1.1电路如题图1.1所示，ui5sintV，二极管导通电压降UD0.7V。试画出ui和uo的波形，并标出幅值。解：通过分析可知：(1)当ui3.7V时，uo3.7V(2)当3.7Vui3.7V时，uoui(3)当ui3.7V时，uo3.7V总结分析，画出局部波形图如下所示：1.2二极管电路如题图1.2所示。〔1〕判断图中的二极管是导通还是截止？〔2〕分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压UAO。解：对于〔a〕来说，二极管是导通的。采用理想模型来说，UAO6V采用恒压降模型来说，UAO6.7V对于〔c〕来说，二极管D1是导通的，二极管D2是截止的。采用理想模型来说，UAO0采用恒压降模型来说，UAO0.7V1.3判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流ID解：〔b〕先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5V18225510U右＝15＝1V14010U左＝10故此二极管截止，流过的电流值为ID＝0〔c〕先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出：52＝2.5V，U左＝2.520＝0.5V25518210U右＝15＝1V14010U左1＝15由于U右U左0.5V，故二极管导通。运用戴维宁定理，电路可简化为ID0.532.7μA15.31.6测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。解：T1:硅管，PNP，11.3V对应b,12V对应e,0V对应cT2:硅管，NPN，3.7V对应b,3V对应e,12V对应cT3:硅管，NPN，12.7V对应b,12V对应e,15V对应cT4:锗管，PNP，12V对应b,12.2V对应e,0V对应cT5:锗管，PNP，14.8V对应b,15V对应e,12V对应cT6:锗管，NPN，12V对应b,11.8V对应e,15V对应c模拟电子技术根底第二章2.2当负载电阻RL1k时，电压放大电路输出电压比负载开路〔RL〕时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。解：由题意知：UOCRL0.8UOCroRL解得ro0.25kΩ2.5电路如题图2.2所示，设BJT的UBE0.6V，ICEO、ICES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流IC。解：ICS12/43mA，IBS3/800.0375mA(1)开关打在A上：IB120.60.285mAIBS，故三极管工作在饱和区。40ICICS3mA(2)开关打在B上：IB120.60.0228mAIBS，故三极管工作在放大区。500ICIB1.8mA(3)开关打在C上：发射结和集电结均反偏，故三极管工作在截止区。IC=02.9题图2.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：(1)电源电压VC...
