本公司具备证券投资咨询业务资格，请务必阅读最后一页免责声明证券研究报告1[Table_Summary]报告摘要：长鑫进展喜人，大陆DRAM巨舰已起航长鑫是国家战略级DRAM项目，是大陆首家DRAMIDM厂商，从2017年建厂到2019年9月正式投产，仅花费了短短三年时间。从研发实力看，长鑫已招揽了来自多个全球顶级大厂的相关人才，构建自身研发团队，并已收获奇梦达（Qimonda）大量内存专利，融入自身研发体系，进一步助力DRAM关键技术开发。从技术路径看，长鑫采用与三星等大厂相同的主流堆电容DRAM技术，将有利于未来技术升级。从厂区规划看，长鑫计划建设三个工厂，一期工厂总设计产能为12万片/月，是目前已经量产的厂区，计划于2020年扩产到4万片/月产能，二期工厂预计将于2020年开始规划建设。长鑫量产打破垄断，大陆DRAM迎来自制曙光DRAM是存储最大细分市场，占存储市场规模的比例高达58%，大陆是全球DRAM最大市场，占全球DRAM市场的比例为43%，但自给率几乎为零。大陆DRAM市场呈现“大市场+低自给率”的特征，国产替化势在必行，长鑫量产带来大陆DRAM自制曙光。长鑫定位利基型动态随机存取内存（SpecialtyDRAM），下游应用主要包括TV、低端手机、网络设备、ADSL和PC周边产品，占全球DRAM市场规模的10%左右，其中中国占20-30%。该市场长期被台湾、韩国和美国垄断，台湾南亚科技、台湾华邦电子、美国美光、韩国三星全球市占率依次为39%、18%、14%、13%，位列前四名，合计占有84%的市场规模，长鑫打破垄断，将首先保障国内需求。按照规划，长鑫将于2019年年末、2020、2021、2022年分别达到2万片/月、4万片/月、8万片/月、12万片/月产能，按此估算，占全球DRAM产能的比例将分别达到2%、3%、6%和8%，在2020-2021年将有望满足国内SpecialtyDRAM需求。在先进制程上，长鑫目前量产产品为19nm，属于先进1Xnm阶段，同时已跳过18nm加紧研发17nm制程，有望于2020-2021年推出，逐渐缩短与三大原厂差距。产业链充分受益，看好大陆龙头企业发展长鑫大规模投产将拉动包括设备、封测、材料、设计各环节发展，国内产业链优质公司将有望迎来发展良机。1）设备先行。从成本构成看，光刻、检测、干法刻蚀是成本最高的三个工艺，占比分别为26%、16%、8%。光刻和检测设备均被国外厂商垄断，大陆中微和北创在刻蚀设备领域占有一席之地。2）封测环节。长鑫主要聚焦设计和制造环节，封测外包，将有效拉动封测厂商发展。存储器封测厂商包括台湾力成、华东、南茂科技、新加坡UTAC、...
