证券研究报告2019年11月13日芯片国产化系列二大陆自主晶圆厂投产进度、关键半导体设备国产化率分析方正新兴产业组长李疆执业证书编号：S1220518010003联系人范云浩23300913/43348/2019111410:29核心观点1、2019年Q2起大陆自主晶圆厂进入投产高峰，未来三年半导体设备需求迎来爆发式增长。根据2017年至今大陆自主晶圆厂开工以及投产情况统计，测算未来19-22年半导体设备总投资在700美元左右，同比2018年120亿美元有很大增长空间，且大陆自主晶圆厂国产化率友好度远高于2018年海外复制线，晶圆厂本身扩产有降本的采购需求，有利于国产化率的提升，2018年国产化率不到5%，提升空间巨大。2、分器件梳理半导体设备国产化进程：28nm以下中低端制程是目前国产设备角逐的主战场；功率&Special工艺要求相对较低好验证，但与二手设备竞争激烈；存储器件工艺上具有一定难度，国产设备积累较少，但我们认为突破性价比高，主要基于：①国内大力发展存储产业，新增产能较多；②存储器件结构大量相同单元叠加设备参数要求相对单一适宜批量生产；③存储器同质化竞争激烈，存储企业必须依靠规模效应体现竞争力将不断扩充生产线，一旦通过认证将为国产设备提供源源不断的订单需求。3、北方华创与中微公司引领国产替代，关键层设备在长存项目国产化率快速提升。根据公开招标数据显示，长江存储历次规模化招标时点基本与新产品（32层/64层NAND)研发节奏同步，并于2019年9月份开启第三轮招标，预计为2021年10万片/月产能做准备。根据前两轮关键层设备招标情况分析，中微公司28nm以下Dielectric刻蚀已进入量产阶段，并率先通过14nm部分工艺验证；北方华创硅刻蚀设备19年3月首次批量进入长存供应链，等离子刻蚀设备于10月实现重复中标。PVD领域北方华创在HardMask及Al-Pad环节已有订单突破，未来CuBS核心工艺验证通过将成为新的业绩增长点。同时北方华创在氧化扩散工艺第二轮中标40台，占据主要市场份额。1投资策略：二期大基金启动设备环节重点受益，建议关注北方华创(002371.SZ)，中微公司(688012.SH)风险提示：半导体行业景气度下行；半导体设备技术更新；半导体制造厂资本开支不及预期；中美贸易摩擦加剧23300913/43348/2019111410:291、分器件看逻辑中低端制程及功率&Special领域国产设备突破较快工艺制程国内自主Fab厂（括号内数字为Fab投资/亿元）Fab厂投资额合计（亿元）备注逻辑14nm中芯南方、中芯SN1&SN2、武汉宏芯2672中微公司率先通过部分工艺验证28nm华力微...
