电镀与精饰第45卷第3期（总第360期）2023年3月115陶瓷金属化表层电镀工艺研究随着电子科技的发展，电子元器件更加复杂和密集，为满足各种电子元器件的封装问题，亟需寻找性能优良的封装材料。陶瓷以其良好的导热性、强度及绝缘性能，成为电子元器件的理想封装材料。为保障电子产品内外电路的顺畅连接，通常采用陶瓷金属化技术，实现陶瓷与金属的完整焊接。当前，陶瓷金属化广泛应用于电子领域、陶瓷工艺品领域、航天航空领域等，是实用性和工艺性兼备的技术。本文通过对陶瓷金属化表层电镀工艺的综述，介绍了其技术原理及应用情况，旨在为后续研究提供理论参考。1、陶瓷金属化陶瓷金属化是将两种不同性质的材料进行组合，且要满足组件具备较高的结合强度、良好的气密性及优良的热循环能力。陶瓷材质具备高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、绝缘性能好等特点，金属材质则具备导热性能好、导电能力强、延展性能佳等特点，将两种材料结合在一起，不仅在性能上实现了优势互补，还拓宽了各自的应用范围。但由于陶瓷与金属两种材料的热膨胀系数有差异，无法做到直接相连，通常需要在陶瓷表面镀上一层金属薄膜，即借助陶瓷金属化以实现两者的紧密结合。常用的陶瓷基片包括碳化硅（SiC）、氧化铍（BeO）、氮化铝（AIN）、氧化铝（Al2O3），不同材质的陶瓷的物理性质有所差异。由表1可知，碳化硅要具备较高的电阻率，必须加入氧化铍或氧化硼，因而限制了其应用范围。氧化铍虽具有高导电性和导热率，但因具有致癌风险而应用较少。氮化铝的各项物理性能优异，被认为是最有前途的陶瓷基片，但因其成本较高，只在对散热要求较为严格的条件下使用。氧化铝在机械强度、导电和导热性能、绝缘性能等方面均优良，且原料来源广泛、价格低廉，是陶瓷基片的最佳选择。表1常见陶瓷的物理性质材料介电常数/（Fm-1）电阻率/（Ω·cm）热膨胀系数/（10-6℃）导热率/（W（m·K）-1）密度/（gcm-3）弯曲强度/MPaSiC7.0>10142.8~4.670~2703.0~3.2450BeO6.5~8.9>10156.3~9.0260~3002.95170~240AlN8.5~10>10142.7~4.6100~2603.2280~320Al2O38.5~10>10146.5~7.222~443.75~4.0300~3851.1陶瓷金属化表层电镀工艺流程陶瓷金属化以陶瓷为基底，在其表面涂覆特定金属或金属氧化物，并在特定条件下固化，使陶瓷表面附着一层金属薄膜，实现陶瓷制品与金属零件的焊接。在此过程中，首先要对陶瓷基底进行预处理，采用稀硫酸、丙酮、乙醇、去离子水等对陶瓷表面进行清洗，保证表面的相对光滑和...
