ｄｏｉ：１０．１３７５６／ｊ．ｇｔｘｙｊ．２０２３．０２．０１１光电器件研究与应用孙元新，杨振强，贾华宇，等．一种新型电吸收调制激光器的优化设计［Ｊ］．光通信研究，２０２３（２）：６９－７８．ＳｕｎＹＸ，ＹａｎｇＺＱ，ＪｉａＨＹ，ｅｔａｌ．ＴｈｅＯｐｔｉｍａｌＤｅｓｉｇｎｏｆＮｅｗＥｌｅｃｔｒｏ－ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎＭｏｄｕｌａｔｅｄＬａｓｅｒ［Ｊ］．ＳｔｕｄｙｏｎＯｐｔｉｃａｌＣｏｍ－ｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，２０２３（２）：６９－７８．一种新型电吸收调制激光器的优化设计孙元新１ａ，杨振强１ａ，贾华宇１ａ，余洁２，李灯熬１ｂ（１．太原理工大学ａ．电气与动力工程学院；ｂ．信息与计算机学院，太原０３００００；２．武汉光迅科技股份有限公司，武汉４３００７４）摘要：针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器（ＳＡＧ－ＤＳＡＬ－ＥＭＬ）在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性，文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器（ＥＭＬ）结构进行优化，设计了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ材料１３１０ｎｍ掺铁掩埋结构的ＳＡＧ－ＤＳＡＬ－ＥＭＬ并制作样本芯片，新型ＳＡＧ－ＤＳＡＬ－ＥＭＬ有源区变为台面结构，并在其两层外延生长掺铁ＩｎＰ层。同时，利用先进激光二极管模拟器（ＡＬＤＳ）软件和高频结构仿真（ＨＦＳＳ）软件对所设计掺铁掩埋结构的ＥＭＬ和调制器进行数值及仿真分析，结果表明，与传统多量子阱结构相比，ＳＡＧ－ＤＳＡＬ－ＥＭＬ阈值电流减少了１３％；与传统脊波导结构相比，掺铁掩埋结构的侧向限制能力提高５２％，激光远场横纵角度之差降低了４０％，具有更小的远场发散角；与传统ＰＮＰＮ掩埋结构相比，掺铁掩埋结构的调制器在－３ｄＢ的响应带宽提高了约２４％。对样本芯片进行测试，试验表明，ＳＡＧ－ＤＳＡＬ－ＥＭＬ的阈值电流为１４．５ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）为４５．６４ｄＢ，７０ｍＡ注入电流下，电吸收调制器－３ｄＢ的响应带宽为４３ＧＨｚ，满足高速激光通信的基本要求。关键词：电吸收调制激光器；台面结构；掺铁掩埋技术；调制带宽；远场发散角中图分类号：ＴＮ２４２文献标志码：Ａ文章编号：１００５－８７８８（２０２３）０２－００６９－１０ＴｈｅＯｐｔｉｍａｌＤｅｓｉｇｎｏｆＮｅｗＥｌｅｃｔｒｏ－ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎＭｏｄｕｌａｔｅｄＬａｓｅｒＳＵＮＹｕａｎ－ｘｉｎ１ａ，ＹＡＮＧＺｈｅｎ－ｑｉａｎｇ...
