=================================DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2023．07．004570半导体技术第48卷第7期2023年7月基金项目:国家自然科学基金资助项目(52177185;62174055)不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性刘先婷1，刘伟景1，*，李清华2(1．上海电力大学电子与信息工程学院，上海200090;2．深圳锐越微技术有限公司，广东深圳518172)摘要:无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于SentaurusTCAD数值模拟，分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(ＲF)特性的影响，对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET由于掺杂浓度和传导方式不同导致的性能差异。结果表明，随着温度升高，载流子声子散射加剧，器件的寄生电容增加，导致器件的模拟/ＲF性能下降。体传导的JLNT-FET受到声子散射影响较小，所以其漏源电流受温度影响比表面传导的IMNT-FET小。另外，JLNT-FET的载流子迁移率受沟道重掺杂影响，导致其驱动能力和模拟/ＲF性能都比IMNT-FET差。研究结果对进一步优化这两类器件及其在电路中的应用具有一定的参考意义。关键词:无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET);反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET);模拟/射频(ＲF)特性;环境温度;传导模式中图分类号:TN386文献标识码:A文章编号:1003－353X(2023)07－0570－07Analog/ＲFCharacteristicsofJLNT-FETandIMNT-FETatDifferentTemperaturesLiuXianting1，LiuWeijing1，*，LiQinghua2(1．CollegeofElectronicsandInformationEngineering，ShanghaiUniversityofElectricPower，Shanghai200090，China;2．ＲadiawaveTechnologiesCorporationLimited，Shenzhen518172，China)Abstract:Junctionlessnanotubefield-effecttransistor(JLNT-FET)andinversion-modenanotubefield-effecttransistor(IMNT-FET)havebeenwidelystudiedfortheirbetterdrivingcapabilityandexcel-lentsuppressionofshort-channeleffect(SCE)．Theeffectsofambienttemperatureontheanalog/radiofrequency(ＲF)characteristicsofJLNT-FETandIMNT-FETwereanalyzedbasedonSentaurusTCADnumericalsimulations．TheperformancedifferencesbetweenJLNT-FETandIMNT-FETduetodifferentdopingconcentrationsandconductionmodeswerecomparativelyinvestigated．Theresultsshowthatasthetemperatureincreases，carrierphononscatteringinte...
