收稿日期:2022-10-15基金项目:国家自然科学基金(62074049)通信作者:周建伟,教授,博士,主要从事微电子技术与材料的研究。E-mail:jwzhou@hebut.edu.cn电子元件与材料ElectronicComponentsandMaterials第42卷Vol.42第5期No.55月May2023年2023不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO2与Si3N4速率选择性的影响张月1,2,周建伟1,2,王辰伟1,2,郭峰1,2(1.河北工业大学电子信息工程学院,天津300130;2.天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130)摘要:针对浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中SiO2与Si3N4去除速率选择比难以实现的问题,研究了阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、阴离子表面活性剂直链烷基苯磺酸(LABSA)以及非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO7)对SiO2与Si3N4去除速率以及速率选择比的影响。结果表明,CTAB对于SiO2去除速率的抑制作用过强,导致速率选择比很低;与CTAB相比,LABSA对SiO2去除速率的抑制作用减弱,但同时对Si3N4去除速率的抑制作用也变小,导致速率选择比无法满足工业生产的30∶1的要求;AEO7对SiO2去除速率的影响较小,且对Si3N4去除速率的抑制作用强于LABSA。当引入质量分数为0.05%的AEO7时,SiO2的去除速率由318.6nm/min降低至224.1nm/min,Si3N4的去除速率由28.6nm/min降低至7nm/min,速率选择比达到了32∶1,对于提高抛光效率以及有效地保护有源区具有重要意义。关键词:浅沟槽隔离;化学机械抛光;表面活性剂;速率选择比中图分类号:TN405文献标识码:ADOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1635引用格式:张月,周建伟,王辰伟,等.不同表面活性剂对浅沟槽隔离CMP中SiO2与Si3N4速率选择性的影响[J].电子元件与材料,2023,42(5):578-583.Referenceformat:ZHANGYue,ZHOUJianwei,WANGChenwei,etal.EffectsofdifferentsurfactantsontheremovalrateselectivityofSiO2andSi3N4inshallowtrenchisolationCMP[J].ElectronicComponentsandMaterials,2023,42(5):578-583.EffectsofdifferentsurfactantsontheremovalrateselectivityofSiO2andSi3N4inshallowtrenchisolationCMPZHANGYue1,2,ZHOUJianwei1,2,WANGChenwei1,2,GUOFeng1,2(1.SchoolofElectronicandInformationEngineering,HebeiUniversityofTechnology,Tianjin300130,China;2.TianjinKeyLaboratoryofElectronicMaterialsandDevices,Tianjin300130,China)Abstract:ToaddressthedifficultyofachievinghighremovalselectivityofSiO2andSi3N4inshallowtrenchisolation(STI)chemicalmechan...
