电力与电子技术Power&ElectronicalTechnology电子技术与软件工程ElectronicTechnology&SoftwareEngineering147迄今为止，集成电路(IC)的发展一直遵循Intel公司创始人之一GordonE.Moore预言的规律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍[1-2]，这个规律就是IC界著名的摩尔定律。目前13.5nm光刻系统只有少数企业使用，193nm光刻系统仍是国内制造集成电路的主流光刻设备。157nm光刻系统因成本和透镜材料问题而不能被实际应用，下一代光刻系统，如极紫外光刻、离子束光刻和纳米压印技术仍在不断改进，因此国内企业目前只能不断改进193nm光刻设备和曝光工艺希望将此技术延伸到7nm节点。将193nm光刻技术延伸至7nm节点可以说是相当大的挑战，对曝光工艺要求势必更加苛刻，因此提升193nm光刻系统曝光工艺就变得越来越重要。曝光工艺是集成电路加工的关键步骤。曝光工艺的主要作用是将掩膜板上的图形精确复制到硅片上，为下一步刻蚀或离子注入做准备。光刻工艺的提升离不开光刻工艺模拟，光刻模拟可为工艺提升提供参考依据，可以减少实验用的时间和节省实验的成本[3-7]。光刻成像模拟是光刻工艺模拟的重要组成部分，是后续光刻工艺模拟的关键，因此建立精确光刻成像仿真模型非常重要。离轴照明技术[9]是光刻技术常用的照明技术，离轴照明可以改善光刻分辨率、增大焦深、提高光刻成像的对比度[8-10]。但是离轴照明结构如果不对称，包括强度不对称和几何结构不对称，如果强度中心和几何中心偏离了主轴势必对光刻产生影响。因此，本文利用自建的一种光刻成像模型，再利用波前处理技术引入离焦像差，用以研究光刻照明光源不对称性对光刻成像的影响。利离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响分析陈德良*王玉清李世雄余宏（贵州师范学院贵州省贵阳市550018）摘要：本文对离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响进行了分析。离轴照明相对传统照明来讲可以提高光刻系统成像的分辨率，是光刻系统常用的照明模式。但是离轴照明光源相对光轴的强度和位置不对称性，会对光刻成像产生较大影响。因此，本文一种利用自建的一种光刻成像仿真模型，利用此模型分析了离轴二极照明下，照明光源强度不对称对193nm深紫外光刻机90nm线宽的成像影响。仿真结果表明，照明光源强度均匀对称时，离焦对成像的影响很小，照明强度不对称时，离焦对成像的影响非常大。因此，光刻时要确保掩膜照明强度均匀，减小离焦...
