第45卷第1期压电与声光Vol.45No.12023年2月PIEZOELECTRICS&ACOUSTOOPTICSFeb.2023收稿日期:2022-06-07基金项目:广东省重点领域研发计划项目(No.2019B010129001)作者简介:赵利帅(1992-),男,山东省菏泽市人,博士生,主要从事薄膜体声波谐振器的制备及性能研究。文章编号:1004-2474(2023)01-0018-03DOI:10.11977/j.issn.1004-2474.2023.01.004高品质因数薄膜体声波谐振器的仿真与制备赵利帅1,衣新燕1,2,欧阳佩东1,张铁林1,刘红斌1,李国强1,2(1.华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,广东广州510640;2.广州市艾佛光通科技有限公司,广东广州510700)摘要:该文研究了双层反射结构对薄膜体声波谐振器性能的影响。采用有限元方法建立了以氮化硅为支撑层,氮化铝为压电层,钼为电极的器件模型。首先探究反射层的宽度对输入阻抗的影响,为了进一步验证仿真结果,制备了空腔型薄膜体声波谐振器。研究结果表明,当反射层的宽度为0.5μm时,器件的品质因数将得到极大增强。关键词:薄膜体声波谐振器;反射层;输入阻抗;AlN;有限元中图分类号:TN65文献标志码:ASimulationandPreparationofThinFilmBulkAcousticResonatorwithHighQualityFactorZHAOLishuai1,YIXinyan1,2,OUYANGPeidong1,ZHANGTielin1,LIUHongbin1,LIGuoqiang1,2(1.StateKeyLaboratoryofLuminescentMaterialsandDevices,SouthChinaUniversityofTechnology,Guangzhou510640,China;2.GuangzhouAifoLightCommunicationTechnologyCo.,Ltd.,Guangzhou510700,China)Abstract:Theeffectofthedoublereflectionlayeronperformanceofthinfilmbulkacousticresonatorisstudiedinthispaper.Thefiniteelementmethodisusedtoestablishthemodelofthedevicewithsiliconnitrideasthesup-portlayer,aluminumnitrideasthepiezoelectriclayerandmolybdenumastheelectrode.Firstly,theinfluenceofthewidthofthereflectionlayerontheinputimpedanceisinvestigated.Inordertofurtherverifythesimulationresults,acavitystructureofthinfilmbulkacousticresonatorisprepared.Theresultsshowthatwhenthewidthofthere-flectionlayeris0.5μm,thequalityfactorofthedevicewillbegreatlyenhanced.Keywords:thinfilmbulkacousticresonator;reflectionlayer;inputimpedance;AlN;finiteelement0引言随着5G技术的飞速发展,射频前端滤波器朝着高频化、微型化和集成化方向发展。声表面波(SAW)滤波器仅能在低频波段工作。介质陶瓷滤波器体积较大...
