=================================DOI:10．13290/j．cnki．bdtjs．2023．01．005January2023SemiconductorTechnologyVol．48No．131一种低温漂张弛振荡器设计危林峰1，2，李文昌1，2，*，尹韬1，2，刘剑1，2，张天一1(1．中国科学院半导体研究所，北京100083;2．中国科学院大学材料科学与光电技术学院，北京100049)摘要:针对传统张弛振荡器输出频率的稳定性易受温度影响的问题，设计了一种结构简单的低温漂张弛振荡器。将MOS管的阈值电压作为参考比较电压，无需考虑比较器偏移电压的影响，偏置电流电路提供与阈值电压有关的电容充电电流，可以抵消参考比较电压温度系数对振荡器输出频率的影响，最终使其对温度的稳定性只受电阻温漂的影响。设计中电阻采用相反温度系数的串/并联复合的拓扑结构，能有效降低电阻温漂对输出频率温度稳定性的影响。该振荡器采用0.35μmBCD工艺实现，已集成应用于一款温度传感芯片，振荡器单元尺寸为0.25mm×0.3mm，电源电压为3.3V，功耗约为15μW。测试结果表明，当电源电压在3～3.6V变化时，输出频率变化小于0.34%;当温度从－55℃变化到125℃时，输出频率的温度系数为83.6×10－6/℃。关键词:张弛振荡器;低温漂;并/串联复合电阻;阈值电压;比较器中图分类号:TN43;TN753.8文献标识码:A文章编号:1003－353X(2023)01－0031－06DesignofaLowTemperatureDriftＲelaxationOscillatorWeiLinfeng1，2，LiWenchang1，2，*，YinTao1，2，LiuJian1，2，ZhangTianyi1(1．InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences，Beijing100083，China;2．CollegeofMaterialsScienceandOpto-ElectronicTechnology，UniversityofChineseAcademyofSciences，Beijing100049，China)Abstract:Aimingattheproblemthattheoutputfrequencystabilityofthetraditionalrelaxationoscillatorwaseasilyaffectedbytemperature，alowtemperaturedriftrelaxationoscillatorwithasimplestruc-turewasdesigned．ThethresholdvoltageoftheMOStransistorwasusedasthereferencecomparisonvoltage，withoutconsideringtheinfluenceofthecomparatoroffsetvoltage．Thebiascurrentcircuitprovidesacapacitorchargingcurrentrelatedtothethresholdvoltage，whichcaneliminatetheinfluenceofthetemperatureco-efficientofthereferencecomparisonvoltageontheoscillatoroutputfrequency，andfinallymakethestabilityofthetemperaturebeonlyaffectedbythetempera...
