第43卷第1期2023年3月光电子技术OPTOELECTRONICTECHNOLOGYVol.43No.1Mar.2023大气氛围低温Au-Au薄膜键合的表面活化处理研究∗陈孔杰1,聂君扬1,罗灿琳1,周雄图1,2,孙捷1,2,严群1,2,吴朝兴1,2,张永爱1,2∗∗(1.福州大学物理与信息工程学院,福州350108;2.中国福建光电信息科学与技术创新实验室,福州350108)摘要:提出了一种在大气氛围和低温条件下实现Au-Au薄膜的金属键合技术,研究了不同表面活化处理时间对Au-Au薄膜表面粗糙度、Au-Au薄膜的键合质量和可靠性的影响。实验结果表明,Au薄膜表面粗糙度随着表面活化处理时间的增加先减少后增大,当表面活化处理时间为20min时,Au薄膜表面粗糙度均方根为6.9nm,悬挂键数量和粗糙度达到一个相对平衡的关系,Au-Au薄膜键合后的平均剪切强度为131.8MPa,最大剪切强度高达159.1MPa。因此,Au薄膜表面理想的表面活化处理时间可有效地提高Au-Au薄膜键合质量和稳定性,为实现混合集成Micro-LED器件的低温金属键合提供理论指导。关键词:薄膜键合;表面活化处理;粗糙度;剪切强度;微米级发光二极管器件中图分类号:TN405文献标志码:A文章编号:1005-488X(2023)01-0042-06StudyonSurfaceActivationTreatmentofAu⁃AuThinFilmBondingatLowTemperatureinAtmosphericAtmosphereCHENKongjie,NIEJunyang,LUOCanlin,ZHOUXiongtu,SUNJie,YANQun,WUChaoxing,ZHANGYongai(1.CollegeofPhysicsandInformationEngineering,FuzhouUniversity,Fuzhou350108,CHN;2.Fu-jianScience&TechnologyInnovationLaboratoryforOptoelectronicInformationofChina,Fu-zhou350108,CHN)Abstract:AmetalbondingtechnologywasproposedforAu-Authinfilmsunderatmosphericandlowtemperatureconditions.AndtheeffectofactivationtreatmenttimeonthesurfaceroughnessofAu-Aufilms,thebondingqualityandreliabilityofAu-Aufilmswerestudied.Theexperimentalre-sultsshowedthatthesurfaceroughnessoftheAufilmfirstdecreasedandthenincreasedwiththein-DOI:10.19453/j.cnki.1005-488x.2023.01.007收稿日期:2022-06-29∗基金项目:国家重点研发计划(2021YFB3600104);闽都创新实验室自主部署项目(2021ZZ111,2021ZZ130)作者简介:陈孔杰(1997—),男,硕士研究生,研究方向为Micro-LED显示技术;(E-mail:614484339@qq.com)聂君扬(1991—),男,博士研究生,研究方向为半导体技术Micro-LED显示技术;罗灿琳(1999—),...