收稿日期：２０２２－０６－２２基金项目：甘肃省科技厅计划项目（２１ＹＦ５ＧＡ０５８）通信作者：汪再兴，副教授，博士，主要从事新型器件和第三代半导体器件的设计与研发。Ｅ⁃ｍａｉｌ：５５２３２７９３＠ｑｑ.ｃｏｍ电子元件与材料ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ第４２卷Ｖｏｌ.４２第１期Ｎｏ.１１月Ｊａｎ２０２３年２０２３具有多场限环结构的ＳｉＣＬＤＭＯＳ击穿特性研究彭华溢，汪再兴，高金辉，保玉璠（兰州交通大学电子与信息工程学院，甘肃兰州７３００７０）摘要：场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件。基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的ＳｉＣＬＤＭＯＳ仿真模型。分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系。提取器件击穿时的表面电场，从表面电场分布均匀程度和峰值电场两方面分析击穿原理。研究结果表明，当漂移区掺杂浓度一定时，击穿电压随场限环数量、结深和掺杂浓度的增大而先增大后减小；当场限环参数一定时，击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而先增大后减小；经验证在相同条件下，线性环间距设计的ＬＤＭＯＳ击穿特性优于等环间距设计，且漂移区掺杂浓度越高，环掺杂浓度和环结深越小，失效场限环数量越多。关键词：ＳｉＣＬＤＭＯＳ；场限环；漂移区掺杂浓度；击穿电压；表面电场分布中图分类号：ＴＮ３８６文献标识码：ＡＤＯＩ：１０.１４１０６／ｊ.ｃｎｋｉ.１００１－２０２８.２０２３.１３７４引用格式：彭华溢，汪再兴，高金辉，等．具有多场限环结构的ＳｉＣＬＤＭＯＳ击穿特性研究［Ｊ］．电子元件与材料，２０２３，４２（１）：５０－５６.Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｆｏｒｍａｔ：ＰＥＮＧＨｕａｙｉ，ＷＡＮＧＺａｉｘｉｎｇ，ＧＡＯＪｉｎｈｕｉ，ｅｔａｌ．ＢｒｅａｋｄｏｗｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＣＬＤＭＯＳｗｉｔｈｍｕｌｔｉ－ｆｉｅｌｄｌｉｍｉｔｉｎｇｒｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］．ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０２３，４２（１）：５０－５６.ＢｒｅａｋｄｏｗｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＣＬＤＭＯＳｗｉｔｈｍｕｌｔｉ－ｆｉｅｌｄｌｉｍｉｔｉｎｇｒｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅＰＥＮＧＨｕａｙｉ，ＷＡＮＧＺａｉｘｉｎｇ，ＧＡＯＪｉｎｈｕｉ，ＢＡＯＹｕｆａｎ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓａｎｄＩｎｆ...
