第59卷第1期2023年1月南京大学学报（自然科学）（NATURALSCIENCE）Vol.59,No.1Jan.,2023JOURNALOFNANJINGUNIVERSITY基于GaAspHEMT工艺的宽带6位数字移相器MMIC周守利1*,顾磊1,2,张景乐1,吴建敏1（1.浙江工业大学信息工程学院，杭州，310023；2.杭州萧山技师学院，杭州，311201）摘要：基于0.15μmGaAspHEMT（pseudomorphicHighElectronMobilityTransistor）工艺，研制了一款6位数字移相器微波单片集成电路（MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit，MMIC）.该移相器由六个基本移相位级联组成，工作频带为10~18GHz，步进值为5.625°，移相范围为0~360°，具有64个移相态.根据最优拓扑选择理论，5.625°，11.25°，22.5°移相位采用桥T型结构，降低了移相器的插损及面积；采用开关型高低通滤波器结构实现45°，90°，180°移相位，提高了大移相位的移相精度，并有效降低了寄生调幅.实测结果表明：64态移相寄生调幅均方根误差小于0.6dB，移相输入输出回波损耗低于-11dB，移相均方根误差小于4.2°，基态插入损耗低于8.6dB.芯片尺寸为3.35mm×1.40mm.该数字移相器具有宽频带、高移相精度、尺寸小的特点，主要用于微波相控阵T/R组件、无线通信等领域.关键词：GaAspHEMT，宽带，数字移相器，微波单片集成电路中图分类号：TN432文献标志码：AAwideband6bitdigitalphaseshifterMMICbasedonGaAspHEMTprocessZhouShouli1*,GuLei1,2,ZhangJingle1,WuJianmin1(1.CollegeofInformationEngineering，ZhejiangUniversityofTechnology，Hangzhou，310023，China；2.HangzhouXiaoshanTechnicianCollege，Hangzhou，311201，China)Abstract:Thispaperproposeda10~18GHzwideband6⁃bitdigitalphaseshifterMMIC(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit)designedin0.15μmGaAspHEMT(pseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)technology.Thephaseshifterwascomposedofsixbasicbits，whichrealizes64phase⁃shiftingstateswithastepvalueof5.625°andprovidesaphase⁃shiftingrangeof0~360°.Consideringthestructuraltopologyoptimization，thebridge⁃Tstructureisadoptedfor5.625°，11.25°and22.5°phasebitstoreducestheinsertionlossandareaofthephaseshifter.Theswitchtypehigh⁃lowpassfilterstructureisemployedtorealize45°，90°and180°phasebits，whichimprovestheaccuracyofphaseandamplitude.Themeasurementresultsshowthatintherangeof10~18GHz，thein...
