第51卷第1期2023年2月福州大学学报(自然科学版)JournalofFuzhouUniversity(NaturalScienceEdition)Vol．51No．1Feb．2023DOI:10．7631/issn．1000－2243．22009文章编号:1000－2243(2023)01－0020－07Bi2Se3纳米线的生长及其圆偏振光电流的研究李铭贵，崔广州，俞金玲(福州大学物理与信息工程学院，福建福州350108)摘要:采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi2Se3纳米线．系统分析生长温度和气体流量对Bi2Se3纳米线的形貌、晶体质量的影响，并研究Bi2Se3纳米线的圆偏振光致电流．研究结果表明，Bi2Se3纳米线的最佳生长温度为530℃，气体流量为30mL·min－1．通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼等表征手段，表明所生长的Bi2Se3纳米线具有较高的质量．Bi2Se3纳米线的光电流随着四分之一波片的变化表明，Bi2Se3纳米线具有较强的自旋轨道耦合效应．圆偏振光致电流随入射角的增大而减小，这是因为Bi2Se3的对称性结构为C3V．相比Bi2Se3薄膜或者Bi2Se3纳米片，Bi2Se3纳米线具有更大的CPGE电流，这可能是因为纳米线具有更大的比表面积，可以避免表面态信号淹没在体态信号中．关键词:拓扑绝缘体;化学气相沉积法;Bi2Se3纳米线;圆偏振光致电流效应中图分类号:O472．3文献标识码:AGrowthandcircularphotogalvaniceffectinvestigationofBi2Se3nanowiresLIMinggui，CUIGuangzhou，YUJinling(CollegeofPhysicsandInformationEngineering，FuzhouUniversity，Fuzhou，Fujian350108，China)Abstract:Inthispaper，Bi2Se3nanowiresweregrownbychemicalvapordeposition．TheeffectsofgrowthtemperatureandgasflowrateonthemorphologyandcrystalqualityofBi2Se3nanowiresweresystematicallystudied，andtheBi2Se3nanowireswerefabricatedintoasinglenanowiredevicetostudythecircularphotogalvaniceffectofBi2Se3nanowire．Theresultsshowthattheoptimumgrowthcondi-tionsofBi2Se3nanowiresaretemperature530℃andgasflow30mL·min－1．Scanningelectronmicro-scope，transmissionelectronmicroscope，ＲamanspectraandothercharacterizationmethodsshowthatthegrownBi2Se3nanowireshavehighquality．ThedependenceofthephotocurrentinducedbythecircularphotogalvaniceffectoftheBi2Se3nanowireonincidentangleindicatesthatthesymmetricstructureofBi2Se3isC3V．ComparedwithBi2Se3thinfilmsorBi2Se3nanoplates，Bi2Se3nanowireshavelargerCPGEduetosignificantl...
