２０２３，Ｖｏｌ.３７，Ｎｏ.２ｗｗｗ．ｍａｔｅｒ⁃ｒｅｐ．ｃｏｍ２１０５０２２２⁃１基金项目：国家自然科学基金（５０９０１０５３；５１７７１１３９）ＴｈｉｓｗｏｒｋｗａｓｆｉｎａｎｃｉａｌｌｙｓｕｐｐｏｒｔｅｄｂｙｔｈｅＮａｔｉｏｎａｌＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＦｏｕｎｄａｔｉｏｎｏｆＣｈｉｎａ（５０９０１０５３，５１７７１１３９）．ｓｐｓｏｎｇ＠ｗｕｓｔ．ｅｄｕ．ｃｎＤＯＩ：１０.１１８９６／ｃｌｄｂ.２１０５０２２２ＣＶＤ法制备单层二硒化钨薄膜及其生长机制研究胡冬冬１，２，宋述鹏１，２，，刘俊男２，毕江元２，丁兴２１武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室，武汉４３００８１２武汉科技大学材料与冶金学院，武汉４３００８１二硒化钨（ＷＳｅ２）是一种具有较高带隙的半导体材料，其结构类似于石墨烯，具有优异的光电特性，在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法（ＣＶＤ）实现了大面积、高质量单层ＷＳｅ２薄膜的制备，利用ＸＰＳ、ＡＦＭ、Ｒａｍａｎ对薄膜进行了表征，探究了基片到钨源的距离和生长温度对样品的形貌、尺寸及形核密度的影响。从晶体生长学的角度，用不同ｎ（Ｗ）：ｎ（Ｓｅ）（≫０．５，＞０．５，＝０．５）生长模型解释了不同形貌ＷＳｅ２薄膜的生长机制，为可调控二维半导体单层薄膜制备工艺的优化提供了参考。关键词二硒化钨薄膜化学气相沉积过渡金属硫属化合物晶体生长中图分类号：Ｏ４６９文献标识码：ＡＣＶＤＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＧｒｏｗｔｈＭｅｃｈａｎｉｓｍＳｔｕｄｙｏｆＭｏｎｏｌａｙｅｒＴｕｎｇｓｔｅｎＤｉｓｅｌｅｎｉｄｅＦｉｌｍｓＨＵＤｏｎｇｄｏｎｇ１，２，ＳＯＮＧＳｈｕｐｅｎｇ１，２，，ＬＩＵＪｕｎｎａｎ２，ＢＩＪｉａｎｇｙｕａｎ２，ＤＩＮＧＸｉｎｇ２１ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＲｅｆｒａｃｔｏｒｉｅｓａｎｄＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ，ＷｕｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｗｕｈａｎ４３００８１，Ｃｈｉｎａ２ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＭａｔｅｒｉａｌａｎｄＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ，ＷｕｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｗｕｈａｎ４３００８１，ＣｈｉｎａＴｕｎｇｓｔｅｎｄｉｓｅｌｅｎｉｄｅ（ＷＳｅ２）ｉｓａｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌ...
